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公开(公告)号：CN116825823A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310789675.8
申请日：2023-06-29
IPC: H01L29/10 , H01L29/161 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，包括：提供一待刻蚀对象，包括若干鳍结构，每个鳍结构均包括交叠的牺牲层与沟道层，若干鳍结构沿沟道方向的宽度存在不同；对待刻蚀对象进行一次刻蚀后，循环进行表面处理吹扫处理以及二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；所述吹扫处理用于除去第一物质与第二物质；所述第一物质表征了进行表面处理时引入的物质；所述第二物质表征了进行表面处理时产生的物质；该技术方案，在实现SiGe相对于Si高选择比刻蚀的同时，还解决了表面处理过程导致的牺牲层相对于介质材料(比如SiN等)的选择比较低，进而减小后续刻蚀工艺对于介质材料(如SiN等)的损伤的问题。
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公开(公告)号：CN116819066A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310791854.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: G01N33/541 , G01N33/58 , G01N33/574 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种肝癌微环境检测试剂盒，其包括如下成分：用于制备肝癌组织冰冻切片所需的表面活性剂、封闭剂、固定剂、包埋剂；CD68第一抗体，偶联有荧光染料一的荧光抗体一；PPT1第一抗体；偶联有荧光染料二的荧光抗体二，其中，荧光染料一和荧光染料二是不同颜色的荧光染料，荧光抗体一中的抗体与荧光抗体二中的抗体不相同。该试剂盒能够检测肝肿瘤组织内的PPT1表达水平和巨噬细胞浸润水平，反映肝细胞癌微环境免疫特征和术后总体生存风险，在临床实践中有助于指导肝癌患者免疫治疗决策制定，实施肝癌精准治疗。
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公开(公告)号：CN116314318A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211079.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN116314317A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211066.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116313796A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310223423.9
申请日：2023-03-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/15
Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaN/AlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaN HEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaN HEMT器件性能的效果。
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公开(公告)号：CN116247096A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310211034.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中：阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中：N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
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公开(公告)号：CN116247094A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310211017.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+型掺杂区覆盖漏极金属层的下方区域，且延伸到第一掺杂区域；第一掺杂区域表征了栅极金属层与漏极金属层之间的下方区域。该方案解决了缓冲层产生漏电通道导致的器件的漏电流的加剧的问题，进而避免出现器件提前击穿现象，实现了器件性能的提高。
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公开(公告)号：CN109358334B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201811329045.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于精密工程领域，具体为一种基于部分相干光的纳米位移台精密定位方法。该方法步骤如下：采用低相干光源，首先利用干涉光路，根据干涉图像的对比度确定最佳对焦位置；随着物镜的纵向移动记录干涉条纹的变化，利用发明中的拟合算法得到干涉强度包络曲线，计算得出光束的物理参数，再由干涉图样之间的相位关系确定相对位移。此算法考虑到了误差效应，通用性好，抗噪能力强。本发明的优点在于采用部分相干光源可以同时实现对焦和位移测量，获得更高的重复定位精度，对于提高微纳加工的效率与可靠性有重要意义。
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