公开(公告)号：CN106252350A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201510955693.4

申请日：2015-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  刘继文

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 一种FinFET器件和形成方法。根据一些实施例，器件包括第一p型晶体管和第二p型晶体管。第一晶体管包括包含第一鳍的第一材料的第一沟道区。第一晶体管包括每个均位于第一材料中的相应的第一凹槽中和第一沟道区的相对侧壁上的第一外延源极/漏极区和第二外延源极/漏极区。第一晶体管包括位于第一沟道区上的第一栅极堆叠件。第二晶体管包括包含第二鳍的第二材料的第二沟道区。第二材料是与第一材料不同的材料。第二晶体管包括每个均位于第二材料中的相应的第二凹槽中和第二沟道区的相对侧壁上的第三外延源极/漏极区和第四外延源极/漏极区。第二晶体管包括位于第二沟道区上的第二栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及FinFET器件和形成方法。

公开(公告)号：CN106252230A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201510798935.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  刘继文 ,  梁英強

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0847

Abstract: 本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件。蚀刻半导体鳍的端部部分以在模板介电区中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区。

公开(公告)号：CN106098554A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510764195.1

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  刘继文 ,  吴志楠 ,  林俊泽

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 描述了栅极上的缓冲层及其形成方法。根据一个方法实施例，形成栅极结构。该栅极机构包括位于衬底上方的栅极电介质，位于栅极电介质上方的功函调整层，位于功函调整层上方的含金属材料。缓冲层形成在含金属材料上。介电材料形成在缓冲层上。根据一种结构实施例，栅极结构包括高k栅极电介质和金属栅电极。缓冲层位于金属栅电极上。电介质盖位于缓冲层上。层间电介质位于衬底上方以及围绕栅极结构。层间电介质的顶面与电介质盖的顶面共面。

公开(公告)号：CN103035713B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110426113.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。示例性的半导体器件包括：衬底，该沉底包括设置在衬底上方的鳍结构。该鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件进一步包括设置在衬底上方的绝缘材料。半导体器件进一步包括设置在部分鳍结构以及部分绝缘材料上方的栅极结构。该栅极结构横贯鳍结构中的每个鳍。半导体器件进一步包括由具有连续的并且不间断的表面区域的材料所形成的源极部件和漏极部件。该源极部件和漏极部件包括位于平面中的表面，该表面与位于绝缘材料、鳍结构的一个或多个鳍中的每个鳍以及栅极结构的平行平面中的表面直接接触。本发明还提供了FinFET器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105261637A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510403987.6

申请日：2015-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  刘继文 ,  郑志成 ,  王廷君

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/401

Abstract: 本发明实施例公开了一种具有作为功函数层和/或多功能阻挡/润湿层的碳氮化铝钛(TiAlCN)的金属栅极堆叠件及其制造方法。在实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中多功能阻挡/润湿层包括TiAlCN、设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函数层以及设置在功函数层上方的导电层。

公开(公告)号：CN104779165A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410383797.8

申请日：2014-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了用于制造具有不同阈值电压的FinFET的系统和方法。本发明提供了用于在衬底上制造半导体器件结构的系统和方法。在衬底上形成第一鳍结构。在衬底上形成第二鳍结构。在第一鳍结构和第二鳍结构上形成第一半导体材料。在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一半导体材料上形成第二半导体材料。氧化第一鳍结构上的第一半导体材料以形成第一氧化物。去除第一鳍结构上的第二半导体材料。在第一鳍结构上形成第一介电材料和第一电极。在第二鳍结构上形成第二介电材料和第二电极。

公开(公告)号：CN104681613A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410291087.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了半导体器件的FIN结构。一种诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的鳍结构及其制造方法。在一个实施例中，在衬底中形成沟槽，并沿着沟槽的侧壁形成内衬，其中，相邻沟槽之间的区域限定了鳍。介电材料形成在沟槽中。鳍的部分半导体材料的由第二半导体材料和第三半导体材料替代，第二半导体材料具有不同于衬底的晶格常数，且第三半导体材料具有不同于第二半导体材料的晶格常数。部分第二半导体材料被氧化。

公开(公告)号：CN104576645A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410336481.3

申请日：2014-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  徐廷鋐 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，包括：半导体衬底、延伸到半导体衬底内的绝缘区以及伸出绝缘区之上的半导体鳍。绝缘区包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分位于半导体鳍的相对两侧上。该集成电路器件还包括位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极堆叠件以及连接至半导体鳍的末端的半导体区。半导体区包括由第一半导体材料形成的第一半导体区和第一半导体区下面的第二半导体区，其中，第一半导体区包括具有小平面的顶面。第二半导体区具有比第一半导体区更高的锗浓度。鳍间隔件位于第二半导体区的侧壁上，其中，鳍间隔件与绝缘区的一部分重叠。本发明还涉及FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区。

公开(公告)号：CN103325670A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210418352.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  朱鸣 ,  刘继文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 提供了方法和器件，包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如，第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联，并且包括第一介电层和第一金属层；第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联，并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金属层；以及伪栅极结构，包括第一介电层和第一金属层。本发明还提供了金属栅极半导体器件。

公开(公告)号：CN102969353A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110366233.X

申请日：2011-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种多鳍片器件包括：衬底；在衬底上形成的多个鳍片；在相应鳍片中形成的源极区和漏极区；在衬底上形成的介电层，该介电层具有邻近第一鳍片的一侧的第一厚度，并且具有邻近鳍片的相对侧的不同于第一厚度的第二厚度；以及位于多个鳍片上面的连续栅极结构，该连续栅极结构邻近每个鳍片的顶面以及至少一个鳍片的至少一个侧壁面。通过调整介电层厚度，可以微调得到的器件的沟道宽度。本发明还提供该多鳍片器件的制造方法。