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公开(公告)号：CN105977352A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610425301.8
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上表面生长缓冲层；在缓冲层上生长非故意掺杂层；非故意掺杂层上生长复合调节层的各层结构；在复合调节层上生长第一型导电层；在第一型导电层上生长有源层；有源层上依次生长电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105870279A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610273818.X
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105609603A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610117134.0
申请日：2016-03-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02507 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L31/0392 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , Y02E10/50 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层，在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。并且每一组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层的厚度都分别小于其应力完全释放时的临界厚度。本发明可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN105449057A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510764604.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管，在衬底上依次生成低温缓冲层、高温缓冲层、多孔状反射层、N型掺杂层、有源层、电子阻挡层、P型接触层及透明导电层，P电极设置在透明导电层上，衬底为绝缘衬底时，N电极设置在N型掺杂层上，衬底为导电衬底时，N电极设置在衬底背面；多孔状反射层的组成材料为N型GaN，由具有多孔状结构的N型轻掺层与N型重掺层交替层叠组成。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
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公开(公告)号：CN105428474A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510916691.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336826A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510765253.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方法，在衬底上依次生长外延层；在外延层上制作透明导电层；在透明导电层上定义出切割道；腐蚀切割道至透明导电层和外延层被完全腐蚀，暴露出切割道处衬底；将暴露出切割道的外延片浸没在酸性电解液中，施加正向偏压，进行电化学腐蚀，将交替层叠的N型轻掺层与N型重掺层制作成多孔状反射层；若衬底为绝缘衬底，在透明导电层上制作P电极，在N型掺杂层上制作N电极；若衬底为导电衬底，在透明导电层上制作P电极，在导电衬底的背面制作N电极；将外延片切割成独立的发光二极管器件。本发明可以提高外量子效率，且可适用于垂直结构LED芯片，而不会对LED芯片的工作电压造成影响。
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公开(公告)号：CN105304764A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510763780.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1892 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法，包括以下步骤：在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池，该多层子电池由下至上带隙依次减小；在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构；在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层，在导电衬底表面蒸镀金属，并采用键合技术将二者紧密连接；采用化学腐蚀法将外延衬底去除，露出带隙最大的子电池表面；在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛，采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位，并蒸镀金属形成电极；在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜，覆盖电极与金属纳米岛，形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率，增加光线在电池内部的传播距离，增强光线吸收，提高转化效率。
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公开(公告)号：CN105118908A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510570377.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法，包括以下步骤：外延衬底上分别外延形成缓冲层、第一型导电层、有源层、第二型导电层和电极布拉格反射层；在焊台电极制作区域内保留电极布拉格反射层及经过掩膜并腐蚀形成复数个圆柱状孔洞；在所述电极布拉格反射层上及孔洞内形成图形制作层；在所述图形制作层表面的焊台电极制作区域形成复数个圆弧台型立体反射器；在焊台电极制作区域形成焊台电极；在所述外延衬底下方形成背面电极，裂片得到发光二极管芯片。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
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公开(公告)号：CN104409465A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104377219A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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