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公开(公告)号：CN119767888A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411989697.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/01
Abstract: 一种LED外延结构及其制作方法，其中LED外延结构包括沿第一方向依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；第一方向垂直于N型半导体层，并由N型半导体层指向有源层；有源层包括沿第一方向依次层叠的N层量子垒层，N为正整数；沿第一方向，最后一层量子垒层包括第一子层和第二子层；第一子层包括沿第一方向依次层叠的N型掺杂I nGaN层、不掺杂的I nGaN层和P型掺杂I nGaN层且第一子层的I n组分沿第一方向逐渐减小，第二子层为GaN层。LED外延结构由于上述设置能够削弱有源层的极化电场，减小QCSE的不利影响，加速空穴注入，有利于束缚电子，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN117013368A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310653525.4
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、第一型波导层、有源区、第二型波导层以及P型半导体层；其中，在所述第二型波导层与P型半导体层之间还设有AlN插入层和空穴补充层，所述AlN插入层用于阻挡有源区的电子向所述P型半导体层扩散，并限制所述P型半导体层的P型掺杂剂被所述第二型波导层吸收；所述空穴补充层通过局部过量掺杂以补充空穴注入。
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公开(公告)号：CN116111018A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211659594.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
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公开(公告)号：CN115863504A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211489363.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，其MQW层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，且所述量子垒包括若干组InGaN/GaN/AlGaN层，进一步地，所述量子垒的两接触面分别设有GaN层；通过InGaN/GaN/AlGaN层对电子产生多级散射，减小电子迁移速率，增加电子被MQW俘获的几率；同时，在InGaN/GaN/AlGaN的层与层之间形成反生长方向的极化电场(P→N)，对空穴产生多级加速，对电子减速，增加空穴的注入效率，减少电子溢流，从而平衡载流子分布，增加辐射复合速率，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN115627532A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211180394.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: C30B25/12 , C23C16/458 , C04B41/89
Abstract: 本发明提供了一种用于改善外延结构均匀性的石墨盘及其制作方法，所述石墨盘包括：石墨盘本体，石墨盘本体上具有多个凹槽和位于凹槽底部边缘区域的支柱，且支柱的高度小于凹槽的深度；至少覆盖支柱的第一表面、支柱的侧壁以及凹槽暴露出的侧壁上的隔热组件。其中，在石墨盘放置衬底的凹槽的侧壁及支柱的第一表面和侧壁覆盖隔热组件，使得衬底不会直接接触到石墨盘，而是通过隔热组件间接与石墨盘接触，使得石墨盘表面的温度无法直接传递到衬底上，从而降低衬底与石墨盘及支柱接触的位置附近的热传递效果，有效降低接触位置的温度，避免了因衬底与石墨盘直接接触而导致的局域温度偏高这一现象，进而解决了温度差异导致波长一致性差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068774A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111348613.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子阱层包括至少一个层叠单元，层叠单元包括沿背离基底的方向依次排布的第一InGaN量子阱层、InN层和第二InGaN量子阱层，即该LED芯片通过在量子阱层中引入至少一层InN层，实现在相对更高的生长温度下，获得整体更高In组分的InGaN量子阱层，从而有效减少InGaN量子阱层的位错密度和杂质并入，提升多量子阱有源层的晶体质量，进而提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN111403563B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010230868.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN110176524B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910501546.8
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了AlGaN薄膜作为LED器件的缓冲层，与ALN缓冲层相比，采用AlGa合金靶材在衬底表面制作的AlGaN缓冲层，可以有效改善后续形成的GaN薄膜的晶格应力，提高LED器件的性能。
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公开(公告)号：CN110212065B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910501543.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1‑x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1‑x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、欧姆接触层、N电极和P电极。与AlN缓冲层相比，Al(x)CU(1‑x)N缓冲层能够明显改善衬底和GaN层之间的晶格应力，提升LED器件的性能。并且，由于Al(x)CU(1‑x)N缓冲层中包含CuN，因此，使得Al(x)CU(1‑x)N缓冲层的稳定性变差，易于化学腐蚀，从而可以将Al(x)CU(1‑x)N缓冲层作为衬底剥离时的牺牲层。
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公开(公告)号：CN215311041U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120991375.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种气体过滤器，包括滤灌，滤灌包括顶部的上盖、中间串联的多级滤筒和底部的集尘盒，各多级滤筒的气体通道相连通；各多级滤筒内部均设有一个过滤装置，过滤装置底部设有开口，过滤装置顶部密闭滤芯空心排气通道的顶部；进气口、过滤装置底部开口、滤芯空心排气通道、滤芯的内壁滤网、滤芯外壁与各多级滤筒内壁之间的通道和出气口连通形成气体通道；本实用新型设有多级滤筒，可加大面积过滤尾气中的粉尘颗粒，避免粉尘颗粒残留于反应腔室和真空管道内造成堵塞；且过滤装置的过滤方向为滤芯的内壁滤网指向滤芯外壁，可避免清理腔体和更换滤芯时造成粉尘污染。
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