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公开(公告)号：CN119922926A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372589.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电压控制型晶闸管以及电压控制型晶闸管的制备方法，所述电压控制型晶闸管包括：从阳极到阴极依次排列的P型发射区、N型漂移区、第一P阱区与第二P阱区、以及N+型发射区，其中，所述第二P阱区位于所述第一P阱区的端部，所述第二P阱区的掺杂浓度大于所述第一P阱区的掺杂浓度。本发明通过引入第二P阱区使晶闸管的阈值电压和导通特性解耦，即，器件的阈值电压主要由第二P阱区的掺杂浓度调控，且导通特性取决于第一P阱区的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN119920773A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374460.9
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其加工方法，其中，功率半导体器件包括：第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构间隔设置，第二电极结构包括电极主体及与电极主体连接的第一连接结构；芯片，设置在第一电极结构和电极主体之间，并与第一电极结构和电极主体均电连接；外壳组件，外壳组件包括管壳以及设置在管壳上的第二连接结构，管壳环绕设置在芯片的外周，管壳与第一电极结构连接，第二连接结构与第一连接结构连接；能量释放通道设置在第一连接结构和第二连接结构之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率半导体器件短路时，释放的能量会对管壳结构造成破坏的概率较高的问题。
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公开(公告)号：CN119920699A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372594.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其封装工艺方法；该半导体器件的封装工艺方法包括步骤：通过注塑工艺将阴极电极、阳极电极和门极电极预连接于芯片上，以形成将芯片密封包裹的一体化预组装结构；将管壳封装于一体化预组装结构的外周；将管壳的管壳阴极与阴极电极密封电连接，管壳的管壳阳极与阳极电极密封电连接；采用管壳盖板对管壳进行封盖。本申请通过在芯片封装前增加一体成型环节，通过将芯片上的金属电极一体成型连接于芯片，并通过注塑工艺将一体成型后的组装结构进行注胶，以将芯片包裹，从而使得芯片与外部环境隔离，以达到提升芯片测试良率的目的。
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公开(公告)号：CN119881584A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374465.1
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种高温阻断测试电路、测试装置和测试方法，该电路包括电连接的交流电压源支路、直流电压源支路、门极电压源支路和接地开关，在接地开关和交流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用交流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温交流阻断测试；在接地开关和直流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用直流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温直流阻断测试；在接地开关断开，且门极电压源支路的控制开关闭合的情况下，采用门极电压源支路对被测功率半导体器件进行高温门极反偏测试。该电路通过控制不同电压源的接入，实现被测功率半导体器件高温交流阻断、高温直流阻断以及高温门极反偏的筛选及可靠性测试。
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公开(公告)号：CN119881581A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510372702.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供功率器件封装老化监测方法、监测电路、驱动方法及装置，该方法包括：根据第一加热脉冲对待测器件加热，使结温升高至预设最大结温；对待测器件散热，散热时长根据辅助封装膜层与目标封装膜层的热时间常数和确定，待测器件的封装结构包括辅助封装膜层和目标封装膜层，辅助封装膜层位于目标封装膜层与热源之间；获取待测器件第一当前结温；根据第二加热脉冲对待测器件加热，加热时长根据辅助封装膜层的热时间常数和确定，第二加热脉冲根据第一加热脉冲确定；获取待测器件第二当前结温；根据第一当前结温、第二当前结温和第二加热脉冲，确定目标封装膜层的当前热阻；根据当前热阻与预设热阻判断目标封装膜层的老化状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119881435A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374476.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。
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公开(公告)号：CN118198117B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN118610168A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410741465.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请涉及一种管壳组件及半导体封装结构，其中，管壳组件包括具有第一热膨胀系数的第一电极、具有第二热膨胀系数的过渡环结构以及具有第三热膨胀系数的第一法兰环结构，过渡环结构位于第一电极的周侧边缘，第一法兰环结构固定连接于过渡环结构朝向第一电极的一侧表面；第二热膨胀系数介于第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之间。本申请在提高散热能力的基础上降低了管壳组件制造时的热应力失配，提高了管壳密封的可靠性，在确保气密性合格的基础上提高了半导体器件以及半导体封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118507518B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D18/80
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119947146A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510416717.2
申请日：2025-04-03
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶闸管缺陷单元的修复方法，包括：提供表面形成有晶闸管的晶圆，在晶闸管背离晶圆的第一表面覆盖功能层，功能层的材料包括低熔点金属材料，第一表面为晶闸管的具有阴极电极的一侧表面；对晶闸管进行目标条件下的测试，使晶闸管中的晶闸管缺陷单元发热，晶闸管缺陷单元为晶闸管中的至少一个晶闸管单元的阴极电极，功能层中接触晶闸管缺陷单元的部分与晶闸管缺陷单元合金化并产生凹陷，目标条件包括：晶闸管的阳极和阴极处于反偏状态下产生的漏电流达到预设值；去除晶闸管缺陷单元和剩余的功能层。本申请的部分功能层与晶闸管缺陷单元发生合金化，以物理剔除的方式即可完全去除其电极，避免了金属残留，提升了晶闸管的修复效果。
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