公开(公告)号：CN119892036A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510374478.9

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 唐新灵 ,  于克凡 ,  魏晓光 ,  李玲 ,  王靖飞 ,  代安琪 ,  郝炜 ,  杨光

IPC: H03K17/081 ,  H02H7/20 ,  H02H3/20

Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的过压保护电路及其控制方法，包括第一关断模块分别与半导体器件的门极和阳极电连接，第一关断模块用于阻止电流从门极流至半导体器件的阴极；过压取能控制模块分别与门极、阳极和第一关断模块电连接，过压取能控制模块用于在半导体器件为过压状态的情况下控制第一关断模块关闭。在检测到半导体器件为过压状态时，过压取能控制模块的阻抗降低，使电流经过过压取能控制模块所在支路从半导体器件的阳极导通至门极，过压取能控制模块控制第一关断模块关闭，使电流从门极进入导通至阴极，完成对半导体器件的过压保护。通过采用过压取能控制模块代替现有技术中的采样模块，解决了半导体器件的过压保护电路结构复杂的问题。

公开(公告)号：CN119920698A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510372587.7

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  张语 ,  吴沛飞 ,  林仲康 ,  杨光

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/44 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及封装技术领域，公开一种用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件。所述方法包括：将封装管壳浸没至浸没仓内的导热液，其中所述导热液的温度大于或等于所述功率半导体器件的结温，所述导热液的导热系数大于预设系数，所述导热液为绝缘液体，以及所述功率半导体器件的阴极与门极之间存在间隙；将封装零部件放入所述封装管壳内；在所述封装管壳内部，按照封装工艺顺序将所述封装零部件针对所述功率半导体器件进行装配；对所述封装管壳进行密封封装。本发明可提高门阴极侧的散热效率，改善阴阳极散热均衡性，提升器件结温和增强关断能力，从而可提高器件的可靠性和使用寿命，同时，具有工艺简单、成本低、适应性强等优势。

公开(公告)号：CN119881584A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510374465.1

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 唐新灵 ,  魏晓光 ,  杜玉杰 ,  代安琪 ,  李玲 ,  刘鉴辉 ,  张浩 ,  杨光

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/00

Abstract: 本申请提供了一种高温阻断测试电路、测试装置和测试方法，该电路包括电连接的交流电压源支路、直流电压源支路、门极电压源支路和接地开关，在接地开关和交流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用交流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温交流阻断测试；在接地开关和直流电压源支路的控制开关均闭合的情况下，采用直流电压源支路对被测功率半导体器件进行高温直流阻断测试；在接地开关断开，且门极电压源支路的控制开关闭合的情况下，采用门极电压源支路对被测功率半导体器件进行高温门极反偏测试。该电路通过控制不同电压源的接入，实现被测功率半导体器件高温交流阻断、高温直流阻断以及高温门极反偏的筛选及可靠性测试。

公开(公告)号：CN119881582A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510374448.8

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  唐新灵 ,  杨光 ,  刘瑞 ,  王靖飞 ,  代安琪 ,  杜玉杰 ,  张浩

IPC: G01R31/26 ,  G01K7/02 ,  G01K7/16

Abstract: 本申请公开了一种结温监测系统及结温监测方法，用于提升功率半导体器件结温的测量精度并实现其实时在线监控。系统包括功率半导体器件、感温元件和数据处理单元，其中，感温元件设置在功率半导体器件的电极中的目标位置处，感温元件用于获取目标位置的温度，数据处理单元，与感温元件电连接，用于根据与感温元件对应的目标位置的位置信息、接收的感温元件获取的温度数据以及预设模型，计算得到功率半导体器件的结温信息。本申请的监测系统，能够实时掌握功率半导体器件的结温，为预防热失效、优化工作状态和延长器件寿命提供了有力的技术支持。