公开(公告)号：CN107623031A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710650844.4

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 一种改善MIS-HEMT耐压特性的工艺方法及MIS-HEMT，所述工艺方法包括以下步骤：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；制备栅极窗口；沉积栅介质层和栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；在器件表面制备场板隔离介质层；在场板隔离介质层表面制备场板；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。本发明通过在栅极和漏极之间引入场板，改道沟道中电场分布，降低栅极和漏极之间的峰值电场，从而达到改善和提升MIS-HEMT耐压的目的。

公开(公告)号：CN107623030A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710650735.2

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

公开(公告)号：CN104239438B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410437750.5

申请日：2014-08-29

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李大刚 ,  汪洋 ,  林信南 ,  朱晓阳

IPC: G06F17/30

Abstract: 本发明提供一种基于分离存储的文件信息存储方法和文件信息存储方法，所述文件信息存储方法包括以下步骤：检测记录步骤，检测文件中是否存在元数据存放地址的记录，否则跳至新建记录步骤，是则在记录有效时访问并读回元数据和抽取数据；更新元数据判断步骤，判断元数据文件中的内容是否发生改变，是则更新元数据文件后跳转至回填文件步骤，否则跳至回填文件步骤；回填文件步骤，回填抽取数据至文件中以恢复原文件内容；以及，新建记录步骤，新建一个分离存储的元数据存放地址的记录，在原文件中分出一段空间以存放该元数据存放地址，并将抽取数据与元数据一同分离存放至元数据文件。本发明将元数据分离存储，由文件维护自己的元数据存放记录。

公开(公告)号：CN104241349A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410488417.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟航 ,  李冰华 ,  江兴川 ,  林信南

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/36

Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。

公开(公告)号：CN103474459A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310403969.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 楼海君 ,  林信南 ,  李丹 ,  何进

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。

公开(公告)号：CN102779851A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210232954.6

申请日：2012-07-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 楼海君 ,  林信南 ,  李冰华 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。

公开(公告)号：CN102637733A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210121740.1

申请日：2012-04-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴佳珍 ,  江兴川 ,  李志贵 ,  林信南 ,  何进

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。

公开(公告)号：CN115085714A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210669957.X

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南

IPC: H03K19/003 ,  H03K17/16

Abstract: 一种提高SiC MOSFET抗辐射能力的方法，包括确定SiC MOSFET的驱动信号的理论值，然后根据所述理论值确定SiC MOSFET的栅信号的工作幅值，也就是设置高电位值和低电位值，其中，所述低电位值设置为小于‑5V，根据所述栅信号的工作幅值确定SiC MOSFET的实际驱动信号连接在电路中，从器件的实际的高频应用着手，对器件的驱动信号进行调整和改良，使其在实现基本功能的前提下，增强抗总剂量辐射能力。通过这种施加正负栅压的方式，对辐射感生的载流子的输运进行调控，利用这种调控作用，使得氧化层界面处的缺陷难以俘获辐射产生的正电荷，调控了器件感生载流子产生复合比例，从而减小界面陷阱电荷的产生，达到减小阈值电压的退化，提高SiC MOSFET器件的抗辐照性能的效果。

公开(公告)号：CN114598657A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210095713.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李大刚 ,  林信南

IPC: H04L47/20

Abstract: 本发明提供了一种基于二层多路径流控的数据传输方法、系统及介质，该方法包括：在发送设备和接收设备之间存在多条路径时，接收设备通过被选中的可用路径向发送设备报告可用路径上的可接收数据限额；发送设备根据情况选择一条或多条路径，并发送被选中的可用路径上数据限额以内的数据；接收设备收到部分数据后，向发送设备确认已接收数据量，并确认被选中的可用路径上新的可接收数据限额；发送设备收到被选中的可用路径上新的可接收数据限额后，释放这条路径上相应大小的限额，并再次进行路径选择并发送数据，直至所有数据发送完毕。本发明通过控制和协调远程零拷贝任务在多条路径上的传输速率实现了无丢包的数据传输和网络带宽的最大化应用。

公开(公告)号：CN113169221A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006544.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。