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公开(公告)号：CN113584580A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN112289760A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011163916.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3205
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底及制备方法，该衬底的一表面制有凹坑阵列，凹坑阵列内生长有复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；具体制备方法为：在衬底的一表面上进行图形化处理，以形成延伸进衬底内部的凹坑阵列；在衬底的凹坑阵列一面生长出一层复合金属层，该复合金属层生长至覆盖衬底；对衬底背向凹坑阵列的一面进行减薄。本发明解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
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公开(公告)号：CN111430245A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019641.4
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板的金属化方法，包括如下步骤：首先，根据预设的导电线路参数在陶瓷基板表面进行图案化处理以在陶瓷基板表面形成有预设深度与宽度的线路图案；然后，在经过图案化处理的陶瓷基板表面制备过渡金属层和加厚金属层；之后，将陶瓷基板表面的非线路图案部分的金属层除去，以得到填充于陶瓷基板内的导电金属线路，进行表面处理后，最终得到平整光滑的高精度陶瓷线路板；本发明通过预先在陶瓷基板上制备预设深度和宽度的线路图案，将线路图案深入到陶瓷基板内部，可高精度控制金属化过程中的导电金属线路的宽度与厚度，从而得到高精细化导电金属线路，同时，本发明的导电金属线路填充于陶瓷基板的线路图案内也提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN110491811A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN109652859A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811608221.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108799851A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810442994.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21K9/64 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21Y115/10 , F21Y113/13
CPC classification number: F21K9/20 , F21K9/60 , F21K9/61 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21V19/001 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明公开了一种发光装置和光源成像系统，包装光源，所述光源包括发光元件阵列和具有入光口的复合抛物面集光器；发光元件阵列设在复合抛物面集光器的入光口处，使得复合抛物面集光器对来自发光元件阵列的光束进行收集，发光元件阵列中各发光元件的发光面积之和大于或者等于复合抛物面集光器的入光口的面积的50%。本发明能够出射较高亮度的光束，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN106935479A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710142725.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01J63/02
CPC classification number: H01J63/02
Abstract: 一种紫外射线光源，包括密封腔体和设在该密封腔体内的发光芯片，密封腔体上设有输出窗口，所述密封腔体内设有电子发射装置、两个电极、反光杯和透镜组，两个电极分别与供电电源的正负极连接使的该两个电极之间形成加速电场，电极设在电子发射装置的出口前方，发光芯片设在反光杯内，透镜组设在反光杯的前方；电子发射装置产生电子束，该电子束穿过电极后与水平方向成倾斜方向射向发光芯片使发光芯片产生紫外灯，该紫外灯经反光杯反射后从透镜组穿过并经输出窗口输出。本发明实现阴极射线紫外光源在光束形状及质量方面可调的目的。
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公开(公告)号：CN105648533A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610140081.4
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10
Abstract: 本发明一种液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、坩埚内装的生长溶液和籽晶、及电磁感应驱动搅拌装置。所述搅拌装置，有两种：第一种为电磁感应装置驱动搅拌器旋转型，第二种为电磁感应装置驱动坩埚旋转型；所述电磁感应装置，由置于反应釜外的外部线圈装置及与其连接的交变电源、与搅拌器或坩埚固定连接的内部线圈装置组成。本发明，电磁感应驱动搅拌装置，可使晶体生长溶液混合均匀，搅拌可控，利于晶体均匀生长，较实用。
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公开(公告)号：CN105420814A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510838168.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长反应釜，包括釜体，所述釜体的侧壁为平面结构，釜体内设有腔体，该腔体的侧壁为平面结构，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区，该晶体生长区放置晶种模板，釜体侧壁外表面设有加热器，腔体内设有加热器，釜体内设有至少一个腔体，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题，特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104962995A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
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