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公开(公告)号：CN105442046B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN105648533A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610140081.4
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10
Abstract: 本发明一种液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、坩埚内装的生长溶液和籽晶、及电磁感应驱动搅拌装置。所述搅拌装置，有两种：第一种为电磁感应装置驱动搅拌器旋转型，第二种为电磁感应装置驱动坩埚旋转型；所述电磁感应装置，由置于反应釜外的外部线圈装置及与其连接的交变电源、与搅拌器或坩埚固定连接的内部线圈装置组成。本发明，电磁感应驱动搅拌装置，可使晶体生长溶液混合均匀，搅拌可控，利于晶体均匀生长，较实用。
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公开(公告)号：CN105780124A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III?V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III?V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置?即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN105780124B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置‑即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN105442046A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319233A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410520437.8
申请日：2014-09-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02458
Abstract: 本发明提供一种在MOCVD机台中使用的InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术。应力释放层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能实现良好的应力释放效果，改善外延片的翘曲度以及晶体质量，尤其在GaN-On-Silicon这种存在巨大的热失配和晶格失配的异质材料外延生长中显得特别重要。本发明提供了InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术，在LT-AlN(低温氮化铝)缓冲层生长前先沉积一层InN功能层，从而形成复合应力释放缓冲层，从而很好的释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN106910807B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710136969.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法，包括硅衬底和制备在该硅衬底上的氮化铝层，利用波长小于或者等于250nm的激光在氮化铝层上按照预设路径加工若干个几何图形形成图形化氮化铝层，该图形化氮化铝层为单层或者多层的单晶或者准单晶。本发明为选区外延生长提供了种子层实现选区生长，降低了大尺寸氮化物Si材料的应力，以及对提高晶体质量有较好的效果。
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公开(公告)号：CN102978695A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210534126.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件外延生长的隐形结构衬底，解决目前存在的外延生长中应力场问题。本发明在Si、蓝宝石、SiC的III-V或者II-VI半导体器件衬底，对常规衬底进行定位定点地处理，对外延衬底或者外延结构层的物理化学性能进行处理和改善，使衬底的发生物理或者化学性能的改变，为衬底内部包含密度、晶格常数、晶相、热膨胀系数和杨氏模量中一种或一种以上任意组合的材料性能改变介质层所述的隐形结构衬底。通过本发明，隐形结构衬底为质异外延器件生长的应力场问题提供可行性的解决方案，为制备高质量和高性能半导体器件奠定基础。
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公开(公告)号：CN106910675A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710137611.4
申请日：2017-03-09
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/02112 , H01L21/02172
Abstract: 一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙，图形化介质膜的图形化为圆形、三角形、多边形或者条纹状，图形化介质膜由二氧化硅、氮化硅、氮化钛、金属介质层或多晶氧化铝制成。本发明解决了氮化物电子功率器件异质生长中遇到的应力问题，有利于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN105895672A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510038542.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底。所述离子注入改善型衬底，利用离子注入技术对常规的氮化镓异质外延衬底进行选择性地注入离子，致使注入离子后的衬底材料在热膨胀系数、杨氏模量、晶格常数、晶体结构等方面发生一定的变化，使得异质衬底材料的物理性能参数与氮化镓材料的性能参数相匹配，以适应氮化镓电子器件在异质衬底上外延生长，降低异质衬底上氮化镓基电子器件的外延生长应力，从而改善并提高氮化镓材料的生长质量及器件的整体性能。离子注入改善型衬底，对降低氮化镓基电子器件外延应力有明显的改善作用，对提升电子器件整体性能有重要作用，所以在电子器件应用方面具有潜在的实用化和商业化的价值。
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