公开(公告)号：CN106062923A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011152.4

申请日：2015-02-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明为一种贴合式SOI晶圆的制造方法，其中将硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的热氧化处理，使剥离后的贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于贴合晶圆剥离后的贴合式SOI晶圆进行还原性热处理，将内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于还原性热处理前的膜厚度范围。借此提供一种贴合示SOI晶圆的制造方法，能够抑制由SOI层剥离后的还原性热处理而产生的埋入氧化膜厚度的面内分布的变动。

公开(公告)号：CN104115255B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280067455.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247

Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。

公开(公告)号：CN103918058B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280045093.9

申请日：2012-08-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  水泽康

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01B11/306 ,  G01B21/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。

公开(公告)号：CN105283943A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480032979.9

申请日：2014-05-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7813 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆和基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此，能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均，制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN104885190A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380064933.0

申请日：2013-11-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  石塚徹

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。

公开(公告)号：CN104603910A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045827.8

申请日：2013-07-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  石塚徹

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31105

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序：在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝缘膜的气体中，将位于接合晶圆与基底晶圆之间的绝缘膜从贴合晶圆的外周端向中心方向蚀刻。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其在接合晶圆上形成绝缘膜进行贴合时，在控制平台的宽度，并防止产生SOI岛的同时，能够抑制擦痕及SOI膜厚分布异常。

公开(公告)号：CN103563049A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026001.2

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宜彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法具有：使用了分批式离子注入器的离子注入工序；将键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在离子注入层剥离键合晶片而制作在衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法其特征是，分多次进行对于离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。由此，提供一种能够以大量生产水平制造提高了衬底晶片上的薄膜尤其SOI层的膜厚均匀性的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN1672261A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818188.6

申请日：2003-07-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  三谷清

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76254

Abstract: 为了对应所需的SOI层(5)的厚度，调整上述结合单晶硅薄膜(15)的厚度，通过离子注入的能量，调整上述剥离用离子注入层形成步骤中的剥离用离子注入层(4)的由离子注入表面(J)开始的形成深度(dl+tx)。然后，上述剥离用离子注入层(4)由离子注入表面(J)开始的形成深度越小，上述离子注入的剂量设定得越小。如果剂量减小，则剥离面的面粗糙度也减小，可将平坦化步骤的结合单晶硅薄膜的剥离面的研磨量设定得较小。其结果是，在形成较薄的SOI层的时候，可提高SOI层的膜厚度均匀性。由此，提供下述SOI晶片的制造方法，该方法即使在SOI层的要求膜厚的等级非常小的情况下，仍可将晶片内的膜厚均匀性和晶片之间的膜厚度均匀性这两者减小到足够小的程度。