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公开(公告)号：CN110042471B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910130397.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/04 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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公开(公告)号：CN109643749A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051235.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 学校法人丰田学园
Abstract: 一种热电转换材料，其包含：基材，所述基材是半导体；和添加元素，所述添加元素不同于构成所述基材的元素。由所述添加元素形成的附加能带存在于所述基材的禁带内。相对于与所述基材的所述禁带相邻的价带的状态密度的最大值，所述附加能带的状态密度具有0.1以上的比率。
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公开(公告)号：CN106536794A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039559.8
申请日：2015-04-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm-1且不大于2cm-1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm-1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104835858A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510065112.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。将反向阻断电压V阻断定义为产生与正向电流的电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。
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公开(公告)号：CN104835857A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510064902.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。
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公开(公告)号：CN103582938A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201180071382.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/30621 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种具有能够避免沟道层的载流子浓度增大而降低泄漏的结构的、氮化物电子器件。半导体叠层（15）的斜面（15a）及主面（15c）分别相对于第一基准面及第二基准面（R1、R2）延伸。由于半导体叠层（15）的主面（15c）相对于表示六方晶类III族氮化物的c轴方向的基准轴（Cx）以5度以上40度以下的范围内的角度倾斜，且第一基准面（R1）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度小于第二基准面（R2）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度，所以能够使沟道层（19）的氧浓度小于1×1017cm-3。因此，在沟道层（19）中，能够避免因氧添加而载流子浓度增加的情况，能够降低经由沟道层的晶体管的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN102119443B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980131020.X
申请日：2009-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0611 , H01L29/08 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/475 , H01L29/66143
Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。
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公开(公告)号：CN103201844A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053705.4
申请日：2011-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/66712 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其在开口部具有通道的纵向半导体装置中，可提高高频特性。其特征在于，具有n型GaN类漂移层（4）、p型GaN类势垒层（6）、n型GaN类接触层（7），开口部（28）从表层到n型GaN类漂移层内，其结构具有包含覆盖该开口部配置的电子移动层（22）和电子供给层（26）的再生长层（27）、源极（S）、漏极（D）和位于在生长成上栅极（G），可视为以源极为一方电极，以漏极为另一方的电极而构成电容，具有降低该电容的容量的容量降低结构。
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