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公开(公告)号：CN113593767A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010365158.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头，而与其另一面相连的银层即可作为快速的氧扩散通道。其次，对于剥离后获得的超导线连接体，可利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了接头的机械性能。最后，对于采用银带剥离超导层可使得制备的接头表面为银，氧可直接透过银层表面进入超导层，极大地缩短接头的氧化退火时间，提高超导接头的制备效率。
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公开(公告)号：CN113130134A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381404.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态沉积第二代高温超导带材的装置和方法，涉及镀膜工艺装备技术领域。本发明提供的装置包括动态卷绕系统和真空热处理炉；所述动态卷绕系统包括放卷装置、缠绕骨架和前驱液槽；所述放卷装置和缠绕骨架均连接有伺服电机；所述真空热处理炉包括真空炉腔和转动装置；所述真空炉腔的外壁设置有控温热电偶、进气口、抽气口、冷却水进口和冷却水出口，所述真空炉腔的内壁设置有加热线圈；所述转动装置的中心轴贯穿真空炉腔的中心。利用本发明提供的装置动态沉积第二代高温超导带材，通过化学溶液法连续浸涂和高温热处理能够制备出百米级的第二代高温超导带材，且得到的第二代高温超导带材表面平整、致密，电学性能良好。
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公开(公告)号：CN108059137B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201711260477.3
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种黑磷纳米材料的制备方法，具体步骤为：(1)将红磷粉末与铋粉末混合；(2)将混合后的粉末放入高能球磨罐球磨，球料比为5:1～50:1，转速为100r/min～2000r/min，球磨时间为10min‑100h；(3)将球磨后的粉末放入热处理炉中，加热到400～600℃，保温1～24h，然后经过10h～60h缓慢冷却至100～300℃，之后随炉冷却至室温。本发明可制备出厚度范围为微米级别到纳米级的黑磷纳米带材。
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公开(公告)号：CN110660898A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN109095461A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811346246.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供了一种单层石墨烯的制备方法，该单层石墨烯是由SiC衬底在充满惰性气体的气压动态平衡环境下加热热解制得，具体包括如下步骤：取SiC衬底预处理后放入坩埚；将坩埚置于真空室，抽真空后充入惰性气体，将坩埚感应加热促使SiC衬底升温至热解温度并保温；调整气压，控制真空室中的惰性气体保持气压动态平衡，使SiC衬底进行热解；热解完成后降至室温，恢复常压，取出单层石墨烯。本发明提供的制备方法简单可控，提高了生产效率，有望进行批量化生产，该方法能够制备2～4英寸的大尺寸单层石墨烯，所得单层石墨烯的层数可控，面积较大，且晶格缺陷极少，可以满足高质量单层石墨烯的市场需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106356417B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201611048929.7
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种CIGS/CdTe梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、Mo背电极、梯度禁带宽度吸收层、n型CdS缓冲层、本征氧化锌绝缘层、导电层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CIGS吸收层和p型CdTe吸收层。本发明利用CIGS基吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提升了太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN106498354B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610829115.0
申请日：2016-09-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先清洗磁控溅射设备腔体，再安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶以及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的石英玻璃衬底固定在基底上；调整碲化铋合金靶与石英玻璃衬底之间的距离为100mm～120mm，调整碲单质靶与石英玻璃衬底之间的距离为130mm～140mm，抽真空至5×10‑4Pa～7.5×10‑4Pa；再对石英玻璃衬底加热至300℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件分别打开直流源和射频源，设置直流源功率为18W，射频源功率为18W～20W，然后通过共溅射开始镀膜；最后将溅射的薄膜在250℃～350℃下退火处理，形成具有六角螺旋形貌的碲化铋热电薄膜。
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公开(公告)号：CN108059137A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711260477.3
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种黑磷纳米材料的制备方法，具体步骤为：(1)将红磷粉末与铋粉末混合；(2)将混合后的粉末放入高能球磨罐球磨，球料比为5:1～50:1，转速为100r/min～2000r/min，球磨时间为10min‑100h；(3)将球磨后的粉末放入热处理炉中，加热到400～600℃，保温1～24h，然后经过10h～60h缓慢冷却至100～300℃，之后随炉冷却至室温。本发明可制备出厚度范围为微米级别到纳米级的黑磷纳米带材。
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公开(公告)号：CN106340554B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201611048919.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/0725 , H01L31/073 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种CIGS/CdTe双结叠层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、CIGS底电池、复合导电层和CdTe顶电池；所述CIGS底电池自下而上依次包括导电电极、p型CIGS吸收层和底电池n型CdS缓冲层；所述复合导电层自下而上依次包括底电池本征氧化锌绝缘层、导电连接层和顶电池本征氧化锌绝缘层；所述CdTe顶电池自下而上依次包括顶电池n型CdS缓冲层、p型CdTe吸收层和铜金合金电极。本发明利用复合导电层将窄带隙的底电池和宽带隙的顶电池连接，形成叠层电池，提高了薄膜电池的转换效率。实验结果表明，本发明提供的CIGS/CdTe双结叠层薄膜太阳能电池的电池转换效率可以达到17.3％。
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公开(公告)号：CN104465283B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410766299.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种超导强磁场磁控溅射阴极的低温冷却系统，由两个液氮存储杜瓦(1、5)、增压阀(2、6)、放气阀(3、7)、第一输液管道(4‑1)和第一输液杆(4‑2)、第二输液管道(8‑1)和第二输液杆(8‑2)、真空腔体(9)、磁体杜瓦上盖(10)，以及磁体杜瓦底座(11)组成。超导磁体(12)、外磁轭(13)、内磁轭(14)和底磁轭(15)安装在由磁体杜瓦上盖(10)和磁体杜瓦底座(11)所包围的密闭空间中，磁体杜瓦上盖(10)与阴极靶材(16)固定在一起，之间留有部分真空间隙(17)。超导磁体(12)由液氮迫流冷却；两个液氮存储杜瓦(1、5)交替工作，实现超导磁体(12)和阴极靶材(16)的冷却。
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