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公开(公告)号：CN115206756B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210842745.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/244
Abstract: 本发明涉及多束电子束束斑测量技术领域，提供了一种多束电子束束斑的测量装置及方法，该装置包括真空腔室以及形成于真空腔室内的多束电子束，至少包括：刀口件，可移动的设置在真空腔室内，且位于多束电子束的照射路径上，刀口件上具有适于电子束通过的刀口，刀口件能够在移动过程中对多束电子束中的至少部分电子束进行遮挡；电子束收集结构，位于真空腔室内，且位于刀口件的下游，适于收集从刀口射出的电子束，并将其转化为电信号；数据处理模块，与电子束收集结构信号连接，适于接收电信号，并根据电信号获取各个电子束的束斑分布与束斑大小。该测量装置，可以获取各个电子束的束斑分布与束斑大小，满足观察和测量的需求。
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公开(公告)号：CN111983032B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010866412.9
申请日：2020-08-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学元件损伤的在线监测方法及系统，该方法包括：采集光学元件表面预设位置被照射时产生的超声信号；将超声信号转换为数字信号；根据数字信号、超声信号在光学元件中的传播速度、损伤直径、光学元件表面预设位置以及超声信号的出射位置计算损伤位置。通过实施本发明，采用光致声场效应，实现了激光器在正常工作情况下对光学元件损伤情况的实时在线监测；同时，通过获取超声信号的传播参数可以计算得到光学元件损伤位置与尺寸，便于详细了解光学元件损伤情况。由此，在激光器正常工作情况下可以及时移动透镜位置，避开损伤区域，有利于激光器寿命的提高。
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公开(公告)号：CN116387124A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310318129.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/304 , H01J37/30 , H01J37/065
Abstract: 本发明涉及电子束加工技术领域，提供了一种具有多级差分真空系统的环境电子束加工设备，至少包括：真空腔室，适于为通过的电子束提供真空环境；至少一个第一节流气阻，设置在真空腔室内且位于电子束的束腰位置，第一节流气阻具有沿电子束的照射方向设置的缩孔结构，适于供电子束通过的同时隔离真空，以使第一节流气阻上游的真空腔室与下游的真空腔室的真空度形成差异。本发明提供的具有多级差分真空系统的环境电子束加工设备，在真空腔室内至少设置有一个第一节流气阻用于隔离真空，使第一节流气阻上游的真空腔室与下游的真空腔室的真空度形成差异，从而可以在电子枪位置提供更高的真空度，在下游真空腔室或者成型腔室位置提供更低的真空度。
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公开(公告)号：CN113701680A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110987038.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01B15/08
Abstract: 本发明涉及一种材料表面粗糙度的确定方法及系统。该方法包括获取材料集合；利用扫描电子显微镜对所述材料集合中的材料进行扫描，确定二次电子像集合；对所述二次电子像集合进行灰度处理，得到灰度图像集合；根据灰度图像集合每一灰度图像对应的灰度值与对应的表面粗糙度确定灰度值与表面粗糙度的对应关系曲线；获取待确定的材料；利用扫描电子显微镜对待确定的材料进行扫描，确定二次电子像；并对二次电子像进行灰度处理；根据灰度处理后的二次电子像的灰度值以及灰度值与表面粗糙度的对应关系曲线确定待确定的材料的表面粗糙度。本发明在真空条件下进行非接触式测量，样品不易受污染且无损伤，并具有易精确控制、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN109585244B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201811281545.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/10 , H01J37/256 , H01J37/26 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的电子束聚焦装置，包括沿电子束发射方向依次设置的聚光镜模块、辅助聚光镜模块和物镜模块；所述聚光镜模块用于形成第一磁场，以使电子束形成交叉点；所述辅助聚光镜模块用于形成第二磁场，以使电子束的运动轨迹跟光轴平行，形成平行束，所述第一磁场比第二磁场的磁场强度大；所述物镜模块用于形成第三磁场，使电子束聚焦到靶材平面。采用聚光镜、辅助聚光镜和物镜的多透镜组合方式，实现电子束的交叉‑平行‑聚焦控制，从而获得电子束系统的高缩小倍率、小像差以及束流的高效率传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108149051B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711259320.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C22C1/10 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22C27/04 , C22C19/07 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C18/00 , C22C5/02 , C22C11/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C27/06 , C22C30/02
Abstract: 一种石墨烯/金属复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)按质量百分比称取金属棒与高纯碳棒，高纯碳棒所占质量百分比为1％‑30％；(2)将清洗后的金属棒装夹在悬浮区熔定向凝固炉抽拉系统的上夹头和下夹头上，将高纯碳棒装夹在抽拉系统旁侧的夹具上，且高纯碳棒的底端与金属棒的熔区接触；(3)将悬浮区熔定向凝固炉抽真空，对金属棒进行定向凝固，控制熔区长度在1～50mm，将金属棒以1～5000μm/s的速率从上至下移动，且沿着抽拉系统的轴线旋转；所述高纯碳棒的底端始终处于所述金属棒的熔区内。由此方法本发明得到的石墨烯/金属复合材料中，碳以石墨烯形式存在于金属的晶格之中，两相界面结合良好，有助于提高材料的电导率。
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公开(公告)号：CN109628997A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910125382.3
申请日：2019-02-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种六硼化镧晶须的制备方法，以金属镧和单质硼粉为反应原料，以金属铝为助熔剂，将金属镧粉与单质硼粉充分混合并研磨均匀，加入一定量的金属铝，并通过缝隙填充法、分层法和钻孔法的特殊方法对铝助溶剂进行处理，去除铝表面氧化膜、使得原料相对集中和减小提纯时间，提高六硼化镧晶须的制备效率。
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公开(公告)号：CN109585244A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811281545.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/10 , H01J37/256 , H01J37/26 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的电子束聚焦装置，包括沿电子束发射方向依次设置的聚光镜模块、辅助聚光镜模块和物镜模块；所述聚光镜模块用于形成第一磁场，以使电子束形成交叉点；所述辅助聚光镜模块用于形成第二磁场，以使电子束的运动轨迹跟光轴平行，形成平行束，所述第一磁场比第二磁场的磁场强度大；所述物镜模块用于形成第三磁场，使电子束聚焦到靶材平面。采用聚光镜、辅助聚光镜和物镜的多透镜组合方式，实现电子束的交叉-平行-聚焦控制，从而获得电子束系统的高缩小倍率、小像差以及束流的高效率传递。
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公开(公告)号：CN103616621B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201310598638.5
申请日：2013-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种电子枪真空放电检测装置，包括导光系统（5）、CCD成像设备、光电传感模块、信号处理模块和显示模块。所述的导光系统（5）通过极紫外光纤分别与CCD成像设备和光电传感模块连接；所述的光电传感模块与信号处理模块连接；所述的CCD成像设备和信号处理模块分别与显示模块连接。所述的导光系统（5）布置在电子枪所处的真空室壁或真空室前端的高压瓷瓶壁上作为探头。本发明利用电子枪真空放电过程中产生的极紫外光分析电子枪的真空放电强度；CCD成像设备对电子枪真空放电进行曝光成像，对放电部位定位。
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公开(公告)号：CN104112372B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310133140.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种盲文电子书，包括：盲文显示层、电流变液阀门层、基座、压力传送装置及动力源。应用本发明，既解决了实际应用中电流变液阀门的两态需求与现有电流变液性能特点的矛盾，又解决了高零场黏度电流变液压力传送不均匀的问题，使更多零场黏度区间内的电流变液可以用于盲文电子书的电流变液阀，拓宽了电流变液可使用的零场黏度范围，降低了盲文电子书的成本，进一步推进了盲文电子书的实用化、商用化。
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