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公开(公告)号：CN115166810B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202210786535.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及电子束测量技术领域，具体涉及一种电子束参数测量装置及电子束参数测量方法。一种电子束参数测量装置，包括：微器件阵列结构多层板，所述多层板上设有多个阵列分布的法拉第杯组件，每个所述法拉第杯组件包括同轴设置的至少两个法拉第杯，至少两个所述法拉第杯贯通设置，电子束经上层所述法拉第杯射入下层所述法拉第杯中，获取每层所述法拉第杯的电子束束流大小，以得到所述电子束的相应参数。本发明提供了一种可快速测量的电子束参数测量装置及电子束参数测量方法。
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公开(公告)号：CN109062268B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810953777.8
申请日：2018-08-21
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G05D3/20
Abstract: 本发明公开了一种纳米位移台扫描运动控制系统及其实现方法，属于微纳米操控领域。所述系统包括DSP主控制板、X轴信号合成器、Y轴信号合成器以及位置信号反馈单元，所述的DSP主控制板包括DSP芯片和DSP总线接口等，所述的X轴信号合成器和Y轴信号合成器分别包括主DA单元、增益DA单元、平移DA单元、旋转DA单元以及求和运放单元；所述DSP主控制板通过DSP总线接口，为X轴信号合成器发送X轴信号，为Y轴信号合成器发送Y轴信号；同时接收来自所述位置信号反馈单元的X轴反馈信号和Y轴反馈信号。利用本发明可以准确的调整扫描区域平移量，又确保了扫描区域始终使用16位DA输出能力，有效提高了扫描运动分辨力。
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公开(公告)号：CN111983032A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010866412.9
申请日：2020-08-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学元件损伤的在线监测方法及系统，该方法包括：采集光学元件表面预设位置被照射时产生的超声信号；将超声信号转换为数字信号；根据数字信号、超声信号在光学元件中的传播速度、损伤直径、光学元件表面预设位置以及超声信号的出射位置计算损伤位置。通过实施本发明，采用光致声场效应，实现了激光器在正常工作情况下对光学元件损伤情况的实时在线监测；同时，通过获取超声信号的传播参数可以计算得到光学元件损伤位置与尺寸，便于详细了解光学元件损伤情况。由此，在激光器正常工作情况下可以及时移动透镜位置，避开损伤区域，有利于激光器寿命的提高。
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公开(公告)号：CN111308542A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010127806.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明公开了一种电子枪束斑性能的测量装置及测量方法，测量装置包括荷电控制电子枪、精密位移台、法拉第杯、皮安表、计算机。基于法拉第杯小孔扫描进行测量，获得束斑直径大小、束斑分布特性图、电子束发散角等电子束束斑性能的重要参数，以实现对电子束束斑全面、准确、深入地分析，进而能够准确判断电子枪产生的电子束是否满足使用要求，并对电子枪的结构设计优化和安装调试起到指导作用。
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公开(公告)号：CN109001239A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810993529.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01N23/203 , G01N23/2251 , G01N29/04
Abstract: 本发明公开了一种基于电声效应的电子束增材制造原位检测方法和装置，属于增材制造技术领域。利用脉冲电子束与工件表面相互作用后获得工件表面形貌特征，同时脉冲电子束与工件表面相互作用后产生的热波沿工件表面向工件内部传导形成声波，通过在工件下方增加换能器接收声波实现电声信号探测，获得工件内部分层结构特征；所述检测装置包括二次电子或背散射电子检测系统、电声信号检测系统、电声信号检测系统、信号发生器和数字扫描发生器。利用本发明提供的方法和装置用于检测增材制造过程中工件的表面形貌特征和内部分层结构特征，监控制造品质；所述检测装置尺寸小，结构简单，耦合性好，不会额外增加成本和复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116626741A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310382582.3
申请日：2023-04-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01T7/00 , G01T1/29 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开一种二次电子产额测量的校准装置及方法，涉及二次电子发射现象及其应用领域；该校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；电子激发源发射电子；收集极收集待测样品在经电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；束流测量仪在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，测量经法拉第杯传输的电子束束流，并测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；移动终端根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算的二次电子产额，以及由二次电子的电流和电子束束流计算的修正系数得到二次电子校准产额；本发明通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。
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公开(公告)号：CN111413727B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010294120.2
申请日：2020-04-15
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法，包括荧光屏和钨微纳米图形，六羰基钨通过氦离子显微镜沉积在所述荧光屏上形成所述钨微纳米图形，所述钨微纳米图形为多个同心圆，同心圆的圆心位于所述荧光屏的中心处。利用氦离子显微镜离子辅助沉积，在荧光屏上构建钨微纳米图形，移动荧光屏时，电子束打在荧光屏的斑点形状及其大小将会发生变化，依据钨微纳米图形的尺寸和大小直接测量电子束束斑和电子束发散角。该装置具有多功能、测量精度高、操作简单等优点；制备方法具有精度高、易控制、工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN111413727A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010294120.2
申请日：2020-04-15
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法，包括荧光屏和钨微纳米图形，六羰基钨通过氦离子显微镜沉积在所述荧光屏上形成所述钨微纳米图形，所述钨微纳米图形为多个同心圆，同心圆的圆心位于所述荧光屏的中心处。利用氦离子显微镜离子辅助沉积，在荧光屏上构建钨微纳米图形，移动荧光屏时，电子束打在荧光屏的斑点形状及其大小将会发生变化，依据钨微纳米图形的尺寸和大小直接测量电子束束斑和电子束发散角。该装置具有多功能、测量精度高、操作简单等优点；制备方法具有精度高、易控制、工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN110161065A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810141609.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，包括:屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成的收集极模块，屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩的中心均设有通孔，所有通孔处于同一直线上；样品台模块从下而上依次为冷却层、加热层、绝缘层和样品座；偏压装置包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与收集极连接，第二偏压电源与抑制栅网连接；收集极模块和样品台模块均设于真空腔内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；电子枪设于收集极模块的正上方，且电子枪、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上；屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和样品座分别与不同的弱电流测量装置连接。
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公开(公告)号：CN115206756B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210842745.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01J37/244
Abstract: 本发明涉及多束电子束束斑测量技术领域，提供了一种多束电子束束斑的测量装置及方法，该装置包括真空腔室以及形成于真空腔室内的多束电子束，至少包括：刀口件，可移动的设置在真空腔室内，且位于多束电子束的照射路径上，刀口件上具有适于电子束通过的刀口，刀口件能够在移动过程中对多束电子束中的至少部分电子束进行遮挡；电子束收集结构，位于真空腔室内，且位于刀口件的下游，适于收集从刀口射出的电子束，并将其转化为电信号；数据处理模块，与电子束收集结构信号连接，适于接收电信号，并根据电信号获取各个电子束的束斑分布与束斑大小。该测量装置，可以获取各个电子束的束斑分布与束斑大小，满足观察和测量的需求。
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