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公开(公告)号：CN118291940A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410436834.0
申请日：2024-04-12
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明提供一种铜电极IPMC的驱动装置和磁控溅射制备方法，包括：对离子交换膜进行预处理，之后放入磁控溅射室样品平台；在溅射室安装好铜靶材，在设备屏幕端设置气体流量、目标压力、目标功率、样品转速、工艺时间具体参数数值；启动自动工艺程序，对溅射室抽真空，向溅射室中通入工作气体氩气，通过辉光放电，激活铜靶材表面，使氩气分子离子化，形成等离子体，在磁场的作用下，铜靶材被氩离子溅射出铜原子不断的沉积在离子交换膜表面；工艺结束取出铜电极IPMC，对其形状进行裁剪，将其与金属片、导电胶、导线组装成驱动装置，在外加低电压下可以产生弯曲和形变；本发明的镀膜过程能精准控制，并且提高驱动性能。
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公开(公告)号：CN114122181A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111414150.3
申请日：2021-11-25
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及光伏器件技术领域，尤其涉及一种铁电‑半导体耦合光伏器件及其制备方法。本发明提供了一种铁电‑半导体耦合光伏器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型铁电材料层、第二载流子传输层和电极层；或包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型非铁电材料层、铁电材料层、第二载流子传输层和电极层。所述铁电‑半导体耦合光伏器件具有较高的光电转化效率和较低的制备成本。
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公开(公告)号：CN110112248A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910392763.8
申请日：2019-05-13
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032
摘要： 本发明公开一种四端CIGS/CBTS双结叠层太阳电池及其制备方法，通过依次层叠设置底电池玻璃衬体、Mo电极层、CIGS吸收层、底电池缓冲层、底电池高阻层、底电池TCO层、底电池金属电极、底电池减反层、介质、顶电池玻璃衬体、顶电池第一TCO层、CBTS吸收层、顶电池缓冲层、顶电池高阻层、顶电池第二TCO层、顶电池金属电极和顶电池减反层形成一种新型的CIGS/CBTS双结四端叠层电池结构，这种新型结构不但可以突破单结SQ理论效率限制，发挥CIGS电池和CBTS电池的优势，扩大对太阳光谱的吸收，提高电池效率，为未来大规模发展高效率太阳电池器件提供可能，并且采用四端结构输出，对各个子电池的电流没有限制，能充分发挥各个子电池的效率。此外还具有成本低廉、工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN110042264A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910136196.X
申请日：2019-02-25
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明提供了一种快速制备ZrNiSn热电材料的方法，属于热电材料制备技术领域。该制备方法包括以下步骤：将包括Zr粉、Ni粉和Sn粉的混合粉末压制成坯体；将所述坯体在超重力条件下进行燃烧合成反应，冷却后得到ZrNiSn热电材料。本发明在超重力条件下利用燃烧合成反应制备热电材料，在避免晶粒长大的同时，还使材料的致密度提高，有利于降低ZrNiSn热电材料的晶格热导率，优化材料的热电性能。实施例结果表明，本发明制备的ZrNiSn热电材料的热电优值在923K时可达0.65。此外，本发明的制备方法还具有合成周期短和能量消耗低的特点，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109713059A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811609172.3
申请日：2018-12-27
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种CIGS电池器件及其制备方法。该CIGS电池器件包括：玻璃衬体、在玻璃衬体上磁控溅射的Mo层以及在Mo层上依次制备的CIGS吸收层、CdS缓冲层、AlN高阻层、铝掺杂的ZnO层和Ni-Al电极。本发明提供的CIGS电池器件具有带隙宽、内部损耗低、绿色环保和稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN102800719B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210265537.1
申请日：2012-07-27
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/06
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种制备柔性CdTe薄膜太阳能电池的方法，该制备方法的工艺步骤包括以下步骤：1）清洗云母基底（1）；2）在云母基底（1）上生长透明导电薄膜（2）；3）在基底（1）的透明导电薄膜（2）上生长CdS（3），然后在CdS（3）上面生长CdTe（4）薄膜；4）在有CdCl2蒸汽的气氛中对步骤（3）制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理；5）在经退火处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极；至此制得所述的柔性CdTe多晶薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103996609A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310053822.1
申请日：2013-02-19
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L21/203 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/1836
摘要： 一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：在基底的透明导电多晶薄膜上生长CdS多晶薄膜，停止加热，然后在真空条件下对生长完成后的CdS多晶薄膜进行降温、再升温或者加热保持、或再升温降温的过程，多晶薄膜多晶薄膜再在所制备的CdS多晶薄膜上溅射CdTe多晶薄膜。之后在CdCl2气氛中对所制备的CdS多晶薄膜和CdTe多晶薄膜进行退火处理；最后在经退火处理后的CdTe多晶薄膜上蒸镀导电背电极。
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公开(公告)号：CN114373820A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210029909.4
申请日：2022-01-12
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光伏技术领域，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。本发明提供的薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。本发明同时利用传统光伏器件的p‑n结内建电场和铁电材料的退极化场，通过p‑n结内建电场、铁电退极化场多物理场耦合增强效应提高光生载流子分离与传输能力，降低复合，增加电池的开路电压，提高薄膜太阳电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109449226B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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公开(公告)号：CN109449226A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811284427.3
申请日：2018-10-31
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域，包括依次叠层设置的衬底、透明导电薄膜、窗口层、CdTe光学吸收层、量子点缓冲层和导电背电极；所述量子点缓冲层包括SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层。本发明以SnSe量子点缓冲层或Sb2Se3量子点缓冲层作为量子点缓冲层，由于SnSe量子点或Sb2Se3量子点的能级与CdTe不同，可以吸收CdTe不能吸收的光，从而提升短路电流密度。实施例的实验结果表明，本发明提供的薄膜太阳电池短路电流密度达35.64mA/cm2，此外，本发明提供的薄膜太阳电池结构简单，适宜规模化生产。
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