发明公开
- 专利标题: 一种铜电极IPMC的驱动装置和磁控溅射制备方法
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申请号: CN202410436834.0申请日: 2024-04-12
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公开(公告)号: CN118291940A公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 王志峰 , 李辉 , 朱会宾 , 吴春蒙
- 申请人: 中国科学院电工研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 李薇
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/20 ; C23C14/02
摘要:
本发明提供一种铜电极IPMC的驱动装置和磁控溅射制备方法,包括:对离子交换膜进行预处理,之后放入磁控溅射室样品平台;在溅射室安装好铜靶材,在设备屏幕端设置气体流量、目标压力、目标功率、样品转速、工艺时间具体参数数值;启动自动工艺程序,对溅射室抽真空,向溅射室中通入工作气体氩气,通过辉光放电,激活铜靶材表面,使氩气分子离子化,形成等离子体,在磁场的作用下,铜靶材被氩离子溅射出铜原子不断的沉积在离子交换膜表面;工艺结束取出铜电极IPMC,对其形状进行裁剪,将其与金属片、导电胶、导线组装成驱动装置,在外加低电压下可以产生弯曲和形变;本发明的镀膜过程能精准控制,并且提高驱动性能。
IPC分类: