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公开(公告)号：CN101831628B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010157637.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102191540A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN101245491B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710063881.1
申请日：2007-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤2：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ZnO层，以用来限制后续生长GaN的二维生长；步骤3：用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层，以清除表面的污染；步骤4：在反应室中，采用金属有机物化学气相沉积方法，使用纯N2载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层，纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径；步骤5：在反应室中，使用N2+H2混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层，完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。
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公开(公告)号：CN101831693A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910079800.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。
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公开(公告)号：CN101831628A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157637.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101538737A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102197.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/16 , C30B29/62 , C30B25/18 , H01L31/0296
Abstract: 一种利用p型掺杂的硅为衬底生长氧化锌纳米棒的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选取一硅衬底；步骤2：在硅衬底(111)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法生长氧化锌纳米棒；步骤3：将得到的氧化锌纳米棒样品静置在反应室腔体中缓慢冷却，直至反应室腔体中的温度与室温相同时再取出，完成氧化锌纳米棒的制作。
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公开(公告)号：CN101428842A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710176926.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气，使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米棒阵列外延层。
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公开(公告)号：CN1797018A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098998.X
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于电调制光致发光光谱测量的样品架，其特征在于，包括：一绝缘架，该绝缘架为一管状，该绝缘架的一端有一用于固定的法兰，该绝缘架的管壁上开有六个螺孔，与该螺孔成90度的方向开有两个观察孔；一载样品杆，该载样品杆概成一杆状，其直径与绝缘架的内径相同，该载样品杆的一端为一十字形的端部，另一端为一旋转端，中间为杆部，该载样品杆插入在绝缘架的内径中；六个电极，该电极为螺丝，该电极的一端为锥状，其另一端为旋转部，该六个电极分别螺入绝缘架上的螺孔中。
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公开(公告)号：CN1219333C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN02128518.7
申请日：2002-08-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)在诱导层上再生长一层或多层异质氮化镓基量子点结构，所生长的单或多层异质氮化镓基量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)在P型材料上镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。
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公开(公告)号：CN1652299A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410004028.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/318
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层高温氮化铝缓冲层，该氮化铝缓冲层中铝的含量大于氮的含量。
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