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公开(公告)号：CN103484024B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310419636.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。
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公开(公告)号：CN103910516A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210594338.5
申请日：2012-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明关于一种废弃硅溶胶材料化的方法，可有效应用于以硅溶胶为主要成分的各种废弃胶体溶液的回收利用。本发明提供一种废弃硅溶胶回收再利用的方法，包括如下步骤：向废弃硅溶胶中投加酸或盐，使废弃硅溶胶形成水凝胶；在所得的产物中添加防收缩变形试剂，并将其干燥，使水凝胶变为气凝胶；在所得的产物中添加添加剂，进行增强增韧处理。利用该方法制成的SiO2气凝胶的气孔率在90%以上，密度为2~170kg/m3，孔径均在100nm以下，大多分布在10nm~70nm之间，常温下导热系数为5~25mW/（m·K）。完全具备制造纳米孔超级绝热材料的条件。
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公开(公告)号：CN102827549B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210324122.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3105 , C09G1/02
Abstract: 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。
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公开(公告)号：CN103483884A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310442795.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，特别是涉及一种高性能水性无机涂料及其制备方法。本发明提供一种高性能水性无机涂料，所述高性能水性无机涂料的原料按重量份计，包括如下组分：硅溶胶20~35份；聚合物溶液5~15份；颜料5~15份；填充剂15~30份；消泡剂0.5~1.5份；成膜助剂1~2份；增稠剂0.05~0.5份；水20~35份。本发明所提供的水性无机涂料，在引入有机高分子溶液的同时，优化了颜料、填料、消泡剂及成膜助剂的比例，得到了对环境无害、显著的强粘附性、优异的流平性及光泽性等特点的高性能水性无机涂料。此制备方法简单可靠、成本低廉，非常适用于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN103158057A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310072068.6
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102268332B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
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公开(公告)号：CN102268224A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189145.2
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。
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公开(公告)号：CN101969099A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910055512.7
申请日：2009-07-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。所述加热层与相变层的粘附性很好、且有利于降低相变存储单元的功耗。
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公开(公告)号：CN101964394A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055386.5
申请日：2009-07-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作相变存储单元相变单元的方法，包括：提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以及位于所述第一钝化层上的第二钝化层；在所述相变单元基底上形成粘附层；刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料；依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层。可有效解决传统制作方法中存在的相变材料易从预填充开口中剥落的问题和引入新的存储单元结构导致相变材料加热机制改变以及相变材料污染的问题。
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公开(公告)号：CN101586005A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910054391.4
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：0.2-30wt％含氧化物抛光颗粒、0.01-5wt％氧化剂、0.01-4wt％表面活性剂、0.01-3wt％有机添加剂，其余为pH调节剂和水性介质。利用本发明的化学机械抛光液对SiSb基相变材料速率可控、表面质量好且低损伤的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。通过该化学机械抛光浆液，SiSb基相变材料的抛光速率可控制在5～2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下。
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