-
公开(公告)号：CN102130208A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608360.1
申请日：2010-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法，包括：(1)应用分子束外延生长技术，在导电衬底上生长缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层的外延结构，然后连续生长一层铍高掺杂或δ掺杂的异质窄禁带薄层作为扩散源层；(2)用常规图形加工工艺刻蚀扩散源层形成局部掺杂源图形，在钝化介质膜的保护下应用扩散技术形成pn结，扩散温度为450-600℃；然后制作电极构成光电探测单元或焦平面器件。本发明的方法具有普适性，简单，掺杂成结工艺结合了光电探测器件制作中台面型原位掺杂成结工艺成结方便和平面型扩散成结工艺钝化效果好的优点，简化器件工艺和提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN100373722C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510028755.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在1018cm-3高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×1017cm-3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×1017cm-3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。
-
公开(公告)号：CN100373155C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410093246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一类适用于电化学电容-电压(ECV)方法测量锑化物半导体材料载流子浓度剖面分布电解液，目的在于提高电化学电容-电压方法测量锑化物材料载流子浓度的准确性。其基本特征在于：基础溶液为酒石酸钾钠的水溶液；在测量不同导电类型(p型或n型)的锑化物半导体材料时，分别添加酸性溶液或者碱性溶液以形成可靠的电解液—半导体肖特基结，从而达到准确测量的目的。添加的酸性溶液可以是盐酸、酒石酸或冰醋酸等非氧化性酸或它们的混合物，添加的碱性溶液可为氢氧化钠或氢氧化钾与乙二胺四乙酸(EDTA)的混合溶液。在电化学C-V方法测量中采用此电解液测量锑化物材料的剖面载流子浓度，能获得与霍尔等方法测量结果相符的结果，并且具有无毒性、易保存等优点。
-
公开(公告)号：CN1731638A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/ GaInAs/AlInAs/ InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
-
公开(公告)号：CN1649230A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510023749.9
申请日：2005-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用，包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格的束源炉及其坩埚进行有效保护的系统以及相关部件的参数确定的规则。本发明提供的保护系统包括三个子系统，分别是用于断电或误操作状态下对束源炉进行短时间或缓慢降温的储能电源；对束源炉的工作状态进行自动切换和对蓄电池进行充电控制的充电控制以及作为充电电源的AC/DC变换器。它或用于各类分子束外延设备或适用于其他在断电及误操作状态下需要保证有关高温部件缓慢降温的系统。具有系统结构简单，高的可靠性及成本较低，接入方便，对原有系统无不良影响等特点。是一种普适的系统，具有很好的通用性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1422978A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151295.7
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具,其特征在于采用了非接触固定方式,避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15－0.25mm,间距为2－3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条放进狭缝里即可固定。由于狭缝宽度大于解理条厚度而小于解理条宽度,同时采用一种不锈钢板下设有网格的方法,保证解理条从狭缝里掉不下来,所以解理条装在狭缝里始终位于竖立状态,并且端面保持水平朝下方向。由于一个夹具上有多条狭缝,所以由一个夹具一次可以装配好多解理条,并且解理条装卸过程非常容易。另外也很方便实施两个腔面蒸镀,本发明提供的非接触式固定的夹具结构简单、操作简便、安全可靠、加工成本低、使用寿命长、非常适合于批量生产。
-
公开(公告)号：CN109786510B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910180996.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN106601839B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201611153882.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
-
公开(公告)号：CN106856211A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611065587.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/101 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法，所述探测器结构由下往上依次为Si(001)衬底、GaP缓冲层、III族稳态条件下生长的InyAl1‑yAs缓冲层、As稳态条件下生长的InyAl1‑yAs缓冲层、InxGa1‑xAs吸收层和InyAl1‑yAs帽层。制备方法为依次外延生长即可。本发明可以实现在Si(001)衬底上制备短波红外高In组分InGaAs探测器，适合于发展大规模红外焦平面阵列和低成本器件。
-
公开(公告)号：CN106299015A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610847176.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/035218
Abstract: 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si-Ge、GaAs-InAs、InP-InGaAs、InAlAs-InGaAs、GaAs-AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
102
records
(took 0.136 seconds)
