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公开(公告)号：CN101591811B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力Pv为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN101591811A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III－V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力PV为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III－V族化合物半导体纳米管结构材料。该III－V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN100373155C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410093246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一类适用于电化学电容-电压(ECV)方法测量锑化物半导体材料载流子浓度剖面分布电解液，目的在于提高电化学电容-电压方法测量锑化物材料载流子浓度的准确性。其基本特征在于：基础溶液为酒石酸钾钠的水溶液；在测量不同导电类型(p型或n型)的锑化物半导体材料时，分别添加酸性溶液或者碱性溶液以形成可靠的电解液—半导体肖特基结，从而达到准确测量的目的。添加的酸性溶液可以是盐酸、酒石酸或冰醋酸等非氧化性酸或它们的混合物，添加的碱性溶液可为氢氧化钠或氢氧化钾与乙二胺四乙酸(EDTA)的混合溶液。在电化学C-V方法测量中采用此电解液测量锑化物材料的剖面载流子浓度，能获得与霍尔等方法测量结果相符的结果，并且具有无毒性、易保存等优点。
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公开(公告)号：CN1632552A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410093246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一类适用于电化学电容－电压(ECV)方法测量锑化物半导体材料载流子浓度剖面分布电解液，目的在于提高电化学电容－电压方法测量锑化物材料载流子浓度的准确性。其基本特征在于：基础溶液为酒石酸钾钠的水溶液；在测量不同导电类型(p型或n型)的锑化物半导体材料时，分别添加酸性溶液或者碱性溶液以形成可靠的电解液—半导体肖特基结，从而达到准确测量的目的。添加的酸性溶液可以是盐酸、酒石酸或冰醋酸等非氧化性酸或它们的混合物，添加的碱性溶液可为氢氧化钠或氢氧化钾与乙二胺四乙酸(EDTA)的混合溶液。在电化学C－V方法测量中采用此电解液测量锑化物材料的剖面载流子浓度，能获得与霍尔等方法测量结果相符的结果，并且具有无毒性、易保存等优点。
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