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公开(公告)号：CN101615655A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055148.4
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之间的导电氧化物过渡层，其厚度控制在2～10nm。所述导电氧化物过渡层具有良好的热稳定性；与介质材料、硫系化合物、W电极都有良好的粘附性；具有较低的热导率，能有效改善器件的热效率；具有较好的导电特性可以避免引入较大的电容。通过植入新型的导电氧化物过渡层材料，可有效的提高器件的加热效率，从而降低操作的电压，并且能有效抑制相变材料中的Sb与Te两种元素向底W电极方向的扩散，且过渡层不会与底W电极以及相变材料发生化学反应，从而保证了器件循环使用时操作的一致性，提高了器件寿命。
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公开(公告)号：CN101593765A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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公开(公告)号：CN101582485A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910053119.4
申请日：2009-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb2Se3)100－xYx，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb2Se3)100－xYx存储材料不仅保留了Sb2Se3存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb2Se3存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb2Se3)100－xYx存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN101436607A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN101436570A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810204446.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种相变存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一硅片，在该硅片表面沉积一介质层；在介质层上沉积底层电极层；在底层电极层上制备设定厚度的SixO作为中间绝缘层；在绝缘层上制备通孔，而后填充钨用以连通底层电极，形成钨塞；在绝缘层上沉积一层设定厚度的TiN电极层；在TiN电极层上制备设定线宽的横向电极对，同时与形成的钨塞相连；形成横向电极对后，沉积设定厚度的相变材料，利用电子束曝光及反应离子刻蚀形成相变材料纳米线与前述形成的电极对相连构成基本的存储单元；制备顶层电极。本发明专利结合了纵向结构单元的高密度以及横向结构单元的低功耗，有利于提高相变存储器的整体性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430930A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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公开(公告)号：CN101364564A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044608.4
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/71
Abstract: 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。
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公开(公告)号：CN101335258A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041395.4
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 一种用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法，其特征在于通过非破坏性改变熔丝的电阻实现对集成电路的调节：采用相变材料替代传统金属线作为熔丝，利用激光实现对相变材料的可逆相变操作，实现被编程熔丝的电阻在高阻和低阻之间的可逆变化。其优点在于：熔丝的电阻连续可调，进而可以通过连续调整熔丝电阻实现对集成电路的精确或者多状态控制和调节。本发明还涉及一种相变材料熔丝的电阻的连续可调方法。
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公开(公告)号：CN101315970A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810040850.9
申请日：2008-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种存储介质材料，所述存储介质材料包括单质锑及锑材料经适当掺杂后得到的组份，掺杂的杂质含量原子比少于百分之二十。该存储介质材料的特点在于基于该材料的存储器能够在电信号的编程下实现高电阻和低电阻之间的高速的可逆转换，从而实现数据的存储。
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公开(公告)号：CN101286363A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810036618.8
申请日：2008-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关，控制读、写、擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共栅或其改进电流结构，可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响，从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除，并且后级负载对前级电路的影响减弱，达到电流一致性。所提供的驱动电路是为驱动相变存储单元发生可逆相变，实现信息存储的一种电流脉冲电路。
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