公开(公告)号：CN101286363A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810036618.8

申请日：2008-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  沈菊 ,  刘波 ,  封松林

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关，控制读、写、擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共栅或其改进电流结构，可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响，从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除，并且后级负载对前级电路的影响减弱，达到电流一致性。所提供的驱动电路是为驱动相变存储单元发生可逆相变，实现信息存储的一种电流脉冲电路。

公开(公告)号：CN101286364A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810036619.2

申请日：2008-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  沈菊 ,  刘波 ,  封松林

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G05F3/26

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法，其特征在于采用将一相变电阻GST与一NMOS选通管按一定方式相互连接的IRIT结构，并基于此提出了驱动电路的设计方法，其特征在于选通管的源端接驱动电路的一端，漏端接相变电阻，栅端接相变阵列的位线，相变电阻的另一端接电路的最高电平VDD。通过两级电流镜电路，其中第一级包括由三对PMOS管形成的三个电流镜，第二级包括由三对NMOS管形成的三个电流镜，并最终耦合至位线施加给相变存储单元，产生用于读、写、擦的驱动电流。从而在不增加电路设计的复杂性和规模前提下，获得了降低了工艺生产线要求和制造成本的效果。