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公开(公告)号：CN113777547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110864583.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准判断方法、装置及终端。该方法包括：基于参考在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的参考S参数；基于目标在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的目标S参数；基于参考S参数、目标S参数和T参数与S参数之间的转换关系，确定目标S参数相对于参考S参数的最大偏差，并根据最大偏差判断目标在片校准方法对在片S参数测量系统的校准是否有效。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN114719710B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210228086.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B5/02
Abstract: 本发明提供一种位移偏差测量方法。应用于探针台的圆形载片台，载片台的直径为第一长度，该方法包括：将标准测量尺沿预设方向平行固定在载片台上；其中，标准测量尺的初始刻度处于载片台区域中；控制载片台沿预设方向移动预设距离，并通过标准测量尺获取载片台移动的实际距离；根据实际距离和预设距离确定载片台的位移偏差，并根据位移偏差对载片台进行修正。本发明能够提高探针台测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN114137389B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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公开(公告)号：CN116344263A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310122014.X
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种扁平式磁力开关座及磁吸启闭方法，属于机械制造技术领域，包括：底座、隔离条、磁开关以及盖板，隔离条嵌设于底座上；磁开关设置于底座的腔体内，隔离条位于腔体内；磁开关包括旋转板和两块磁铁，旋转板上设有两个用于放置磁铁的长条孔，两个长条孔平行且错位设置，两块磁铁的极性呈上下方向分别置于长条孔内，且两块磁铁的极性相反；磁开关在腔体内水平旋转呈开启状态时，两块磁铁与隔离条平行且分设在隔离条的两侧，磁开关水平旋转呈关闭状态时，两块磁铁与隔离条交叉；盖板固设于底座上，盖板上设有销轴，销轴向下穿设于旋转板上，旋转板可绕销轴旋转或随销轴旋转。本发明可实现开关座的小型化和轻质化，扩大其应用的环境。
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公开(公告)号：CN111983313B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010717571.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983311B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010717515.9
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数测量方法，包括：建立噪声接收机的超定方程，并根据噪声接收机的超定方程得到噪声接收机的噪声相关矩阵；建立被测件级联噪声接收机的超定方程，并根据被测件级联噪声接收机的超定方程得到被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵；根据噪声接收机的噪声相关矩阵和被测件级联噪声接收机的噪声相关矩阵得到被测件的噪声相关矩阵，并根据被测件的噪声相关矩阵得到被测件的噪声参数。本发明能够实现对被测件的噪声参数的准确测量，提高噪声测量的精度。
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公开(公告)号：CN111983539B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010707691.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法，该方法包括：采用未校准的在片S参数测量系统测量LRRM校准标准的直通标准、匹配负载、两个反射标准，得到直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值；根据直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值、以及预设的参量转换关系式确定八项误差模型和误差网络的比例关系；基于比例关系对直通原始转移参数矩阵进行修正，得到修正后的转移参数矩阵，并根据开关项修正方法以及修正后的转移参数矩阵对在片S参数测量系统进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法能够实现在片S参数的准确测量。
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公开(公告)号：CN111781479B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010091791.9
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。
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公开(公告)号：CN115200698A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210635533.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种具有低反射吸收负载安装结构的波导噪声源。该噪声源包括矩形波导、波导法兰、微调法兰、盲板法兰和吸收负载；波导法兰固定连接在矩形波导的输入端；微调法兰通过紧固件连接波导法兰；盲板法兰通过紧固件连接微调法兰；微调法兰上设有矩形通孔；矩形通孔的位置与矩形波导的内腔位置对应；吸收负载的一端固定在矩形通孔内；吸收负载的其余部分置于矩形波导的内部。本发明的微调法兰固定吸收负载的一端，能够通过调整微调法兰与波导法兰的相对位置，使吸收负载与矩形波导内壁紧密接触，提升了吸收负载安装可靠性，可获得稳定输出的低反射系数热噪声。
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公开(公告)号：CN114137389A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111416559.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种微波探针S参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：采用校准后的矢量网络分析仪，在微波探针的探针尖端分别测量在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的S参数，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的反射值；根据在片校准件的模型和定义值，得到在片开路校准件、在片短路校准件以及在片负载校准件的实际反射值；根据反射值和实际反射值，得到微波探针S参数；根据微波探针S参数计算得到微波探针S参数的相位。本发明能够准确得到四个S参数的相位，可以完整表征微波探针的微波特性，评定其S参数的不确定度，有助于评价微波探针的性能。
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