-
公开(公告)号：CN112820715B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
-
公开(公告)号：CN114993505A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
-
公开(公告)号：CN114295954A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
-
公开(公告)号：CN114112113A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111172077.3
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻传递标准件及热阻测量仪器校准方法，上述热阻传递标准件包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚及壳体；第一半导体芯片和第二半导体芯片均设置在壳体内部；第一管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阳极连接，第二管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阴极连接；第三管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阳极连接，第四管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阴极连接。本发明提供的热阻传递标准件设置两个相互独立的半导体芯片，分别用于输入测试电流和工作电流，不存在电流的切换，有效提高了热阻传递标准件的标定精度。
-
公开(公告)号：CN113790818A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110913427.0
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反射率，作为第二反射率；控制待测件的温度降低并稳定在第一预设温度，将待测件通电，待待测件的温度稳定后，采集通电待测件的反射率，作为第三反射率；根据第一反射率对第三反射率进行校正，得到校正后的第三反射率；根据第一反射率、第二反射率及校正后的第三反射率确定待测件的温度变化量。本发明采用不通电时的第一反射率对通电后的第三反射率进行校正，可以有效消除随机干扰，提高了测量精度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310245B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910596737.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于显微热成像技术领域，提供了一种图像照明分布的修正方法、修正装置、终端及计算机可读存储介质。其中，所述修正方法包括：获取被测目标的待修正图像；获取参考图像，其中，所述参考图像为在与所述待修正图像相同的光照度分布条件下得到的参考目标的图像；基于所述参考图像对所述待修正图像进行照明分布的修正。本发明能够对图像可能存在的照明分布不均匀的问题进行修正，可以用于对显微热成像获得的显微热图像进行修正处理，有利于降低显微热图像由于照明分布不均匀引起的测量误差，提高通过显微热成像进行温度测量的准确性。
-
公开(公告)号：CN110335219A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910645948.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
-
公开(公告)号：CN110310309A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910616002.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/30
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定的基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设角度的旋转更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
-
公开(公告)号：CN110207842A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
-
公开(公告)号：CN109813435A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811633816.2
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明提供了一种静态光反射显微热成像方法、装置及终端设备，同时获取被光源区域A的图像和被测目标区域B的图像，通过光源区域A的像素读数，获取被测目标区域B的漂移修正系数；在M个不同温度下获取每个温度下被测目标区域B的N帧图像，计算被测目标区域B中任一像素bk的读数均值 获得bk所对应的M个数据对；进行线性拟合得到斜率β并根据β计算bk所对应的光热反射系数CTR(bk)；分别计算参考温度T0下bk的读数均值 和待测温度Tx下bk的读数均值 根据T0、CTR(bk)、和 计算bk的待测温度Tx(bk)。解决了基于相机的热成像技术需要对被测目标的温度进行调制的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.044 seconds)
