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公开(公告)号：CN111755553B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910242772.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN110943095B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201811110509.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
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公开(公告)号：CN111785616B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910273253.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN116153851A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111392291.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1)于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2)形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3)形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4)刻蚀多晶硅层，形开口；5)进行第二热氧化工艺，在多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，基于体积变化将开口封闭形成第二封口，从而控制第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。本发明仅需采用传统的多晶硅沉积工艺结合多晶硅热氧化工艺便可有效对非对称大深宽比沟槽填充并控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
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公开(公告)号：CN115598867A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110780879.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: G02F1/01
Abstract: 本申请提供一种光学相控阵及其制造方法，该光学相控阵包括：分束器，其将输入的光分为多个光束，并通过至少两个分束器输出波导输出该多个光束，该分束器输出波导为第一材料形成；移相器阵列，其包括至少两个移相器波导，各该移相器波导与该分束器的各该分束器输出波导耦合，并调整从该分束器输出波导接收到的光的相位，在垂直于该基板的表面的方向上，该移相器波导与该分束器输出波导之间具有第一间隙，该移相器波导为第二材料形成，该第二材料不同于该第一材料；以及发射器阵列，其与该移相器阵列耦合，将经过该移相器阵列调整相位后的光向外发射。本申请能够利用不同材料的特点，不仅提高输出光功率，降低传输损耗，而且，降低移相器的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115513325A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110633059.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种吸收增强型硅基红外光电探测器及其制作方法，探测器包括：衬底以及沿垂直于衬底的方向依次层叠于衬底表面的集电极区、吸收区、基极区和发射极区；吸收区和基极区采用GePb材料，以在短红外波段到中红外波段实现高效吸收；发射极区采用SiGe材料。光子经过GePb材料的吸收区的吸收生成光生载流子，在电场作用下漂移至GePb材料的基极区，由于在SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区的界面价带和导带处形成有效的带阶，光生载流子在GePb材料的基极区积累，使SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区界面带阶的下降，载流子从发射极区注入到基极区，形成光电流的放大，从而实现高灵敏度探测。
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公开(公告)号：CN115144976A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110342095.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于大尺寸发光端面激光器与单模硅波导间的耦合结构及其制作方法，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本发明可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN112444373A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910829526.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。
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公开(公告)号：CN112414673A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910780844.5
申请日：2019-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。
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公开(公告)号：CN112366235A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910677507.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本发明通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
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