-
公开(公告)号：CN113097352A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110363036.6
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法，氮化镓半导体结构包括基底、第二介质层、第一介质层及氮化镓单晶薄膜，第一介质层中具有第一凹槽，氮化镓单晶薄膜中具有第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽相连通。本发明通过剥离法获得氮化镓单晶薄膜，相对于传统异质外延法获得的氮化镓单晶薄膜，具有更高的晶体质量，以及显著降低的缺陷及位错密度；直接采用同质外延法形成分立的Micro LED外延结构，制备工艺简化，可避免芯片分离工艺中对外延结构造成的损伤，使器件性能更优异；可直接在基底中制备驱动电路，从而无需进行巨量转移，简化工艺，以及工艺难度和成本显著降低。
-
公开(公告)号：CN111883648B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010717354.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/04 , H01L41/08 , H01L41/083 , H03H9/56
Abstract: 本发明公开了一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器，该方法包括：获取多个压电晶圆和多个预设衬底晶圆；对多个压电晶圆进行离子注入，得到多个离子注入后的压电晶圆；多个离子注入后的压电晶圆内具有离子注入损伤层；将多个离子注入后的压电晶圆与多个预设衬底晶圆进行键合，得到多个键合晶圆；对多个键合晶圆进行退火处理，在退火处理过程中，调控多个键合晶圆的面内应力，以调整多个键合晶圆在相应的离子注入损伤层处发生剥离的剥离厚度，得到多个压电薄膜；其中，多个压电薄膜之间的剥离厚度偏差小于第一预设厚度阈值。本发明能够降低不同晶圆剥离厚度之间的片间偏差，提高薄膜剥离厚度的精确性，从而提高压电薄膜晶圆的良品率。
-
公开(公告)号：CN112530803A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410376.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制备N极性面GaN基HEMT器件以及Ga极性面GaN基HEMT器件，扩大应用范围。
-
公开(公告)号：CN111383914B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201811619146.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法，翘曲度调节方法包括：提供具有第一键合面的第一衬底及具有第二键合面的第二衬底，将第一键合面与第二键合面进行键合处理，以于键合结构中产生第一热应力；对键合结构进行固键退火处理，以产生第二热应力；将键合结构降温至第一温度，以产生第三热应力，第一温度小于键合温度且大于等于室温，第一热应力、第二热应力及第三热应力三者中至少两者的方向相反，以实现异质键合结构的翘曲度的调节，本发明通过调节键合过程中、固键退火过程及冷却过程中的热应力，达到调节键合结构翘曲度的问题，并可以通过翘曲度的调节，在后续键合结构加工中获得具有低翘曲度的异质键合片。
-
公开(公告)号：CN112490346A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011358667.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L37/02
Abstract: 本申请公开了一种提升热释电晶圆等离子体激活均匀性的方法，包括：通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活；所述对热释电晶圆表面进行激活的总时长为10秒至60秒，每次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间为2秒至10秒，每相邻两次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间间隔为2秒至10秒；所述对热释电晶圆表面进行激活的功率为25瓦至300瓦。通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活，并预设激活时间、时间间隔和激活功率；从而中断连续激活过程中的正反馈恶性循环，即采用多次短时间等离子体激活的方式，释放表面积累的电荷，提高等离子体激活的均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420512A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011323060.9
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/18 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法，包括：获取包括第一晶圆和第二晶圆，注入离子到第二晶圆，从而在第二晶圆的内部形成缺陷层；沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合，形成键合结构；将键合结构置于晶圆花篮中，第一晶圆位于第二晶圆的上方；未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑，第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空，键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑；将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理；键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤，从而提高了产品的质量与良率。
-
公开(公告)号：CN112018025A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910471852.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合结构的制备方法，包括：提供单晶Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体基底和异质支撑衬底，且单晶Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体基底具有第一键合面，异质支撑衬底具有第二键合面；于第一键合面上形成第一氧化铝介质层，于第二键合面上形成第二氧化铝介质层；将第一氧化铝介质层与第二氧化铝介质层进行键合。氧化铝薄膜具有很高的表面能，可在低温键合条件下得到很高的键合质量，且氧化铝薄膜是非晶态材料，对水分子具有很好的吸收性和透过性，可以有效的排除键合过程中在键合界面产生的气体，因此，本发明通过采用氧化铝介质层实现Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合，可以获得高的键合强度、键合界面无泡的高质量键合界面。
-
公开(公告)号：CN111962148A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010772092.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。
-
公开(公告)号：CN111884616A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010717349.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，特别涉及一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用。方法包括：提供衬底基板和压电材料基板，衬底基板和/或压电材料基板的近表面层中具有通过离子注入形成的第一缺陷层；键合衬底基板和压电材料基板，得到包括衬底基板层和压电材料基板层的键合结构；其中，衬底基板和/或压电材料基板的、靠近第一缺陷层的表面为键合面；加工键合结构，使键合结构中的压电材料基板层形成具有预设厚度的压电材料薄膜层，以及使第一缺陷层形成多孔层，得到具有多孔层的衬底基板/压电材料薄膜结构。本公开能够减少键合面处的体声波反射，提高利用上述薄膜结构制备的声表面波器件的性能。
-
公开(公告)号：CN111883646A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010645103.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/08
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
382
records
(took 0.068 seconds)
