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公开(公告)号：CN112490346A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011358667.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L37/02
Abstract: 本申请公开了一种提升热释电晶圆等离子体激活均匀性的方法，包括：通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活；所述对热释电晶圆表面进行激活的总时长为10秒至60秒，每次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间为2秒至10秒，每相邻两次所述对热释电晶圆表面进行激活的时间间隔为2秒至10秒；所述对热释电晶圆表面进行激活的功率为25瓦至300瓦。通过多次等离子体激活法对热释电晶圆表面进行激活，并预设激活时间、时间间隔和激活功率；从而中断连续激活过程中的正反馈恶性循环，即采用多次短时间等离子体激活的方式，释放表面积累的电荷，提高等离子体激活的均匀性。
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公开(公告)号：CN112420512A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011323060.9
申请日：2020-11-23
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/18 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法，包括：获取包括第一晶圆和第二晶圆，注入离子到第二晶圆，从而在第二晶圆的内部形成缺陷层；沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合，形成键合结构；将键合结构置于晶圆花篮中，第一晶圆位于第二晶圆的上方；未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑，第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空，键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑；将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理；键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤，从而提高了产品的质量与良率。
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公开(公告)号：CN112467024A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011334127.9
申请日：2020-11-24
Applicant: 上海新微科技集团有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/22
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。
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公开(公告)号：CN119519641A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411531432.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种声表面波带通滤波器以及其设计方法、电子设备，其中，该方法包括：确定谐振器的第一结构参数以及确定第二结构参数，第二结构参数包括压电薄膜的压电材料及厚度；提取构建的各谐振器的面内传输方向相关的第一关系和第二关系；基于第一关系和第二关系，搭建目标滤波器；目标滤波器包括基本谐振器组和补偿谐振器组，基本谐振器组在滤波器的中心频率处的频率温度系数为零，补偿谐振器组在传输零点处的频率温度系数为零；若检测目标滤波器的频率温度系数不为零，返回确定第二结构参数的步骤，直至检测目标滤波器的频率温度系数为零。本申请通过让谐振器互相作用保证滤波器的通带范围不随温度变化而变化，实现了频率温度系数为零的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN119496478A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411402796.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波器件，包括：衬底；第一压电薄膜，设在所述衬底上；第二压电薄膜，设在所述第一压电薄膜上；第一换能器电极，设在所述第二压电薄膜上；第二换能器电极，设在所述第二压电薄膜上并与所述第一换能器电极的位置相对应；所述第一压电薄膜和所述第二压电薄膜的晶体取向不同，以使目标声学模式下所述声表面波器件的机电耦合系数和能流角最优。本发明的声表面波器件能够同时满足较大的带宽与较低的插入损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115356806B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210926873.X
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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公开(公告)号：CN115296636B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN114337582B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111465935.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极单元；叉指电极单元包括第一电极、第二电极和第一阻碍结构；第一电极的第一端与第一汇流条连接；第二电极包括相对的第二端和第一自由端；第二端与第二汇流条连接；第一阻碍结构位于第一自由端与第一汇流条之间的区域。能够实现在抑制杂散模的同时保证主模特性的不变。
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公开(公告)号：CN117950215A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058148.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单片集成电光调制器及制备方法。电光调制器包括：衬底、电光材料层、折射率调控结构和电极层；电光材料层集成在衬底上，电光材料层中形成有光传输波导；折射率调控结构包括介电材料层，介电材料层设置在电光材料层上；电极层设置在介电材料层上。该电光调制器，通过在电光调制器中设计折射率调控结构来对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配，从而实现了高传输速率、低能耗的单片集成高速电光调制器。
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公开(公告)号：CN117872529A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059032.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种片上波导的形成方法及光子芯片。具体可以通过提供一复合衬底结构；所述复合衬底结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的波导材料层；在所述波导材料层上形成掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述波导材料层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成波导，得到波导结构；利用预设腐蚀液去除所述波导结构中的刻蚀再沉积物；所述预设腐蚀液为双氧水和强碱溶液的混合溶液。从而能够提高制备波导结构的效率和精度。
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