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公开(公告)号：CN113097352A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110363036.6
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法，氮化镓半导体结构包括基底、第二介质层、第一介质层及氮化镓单晶薄膜，第一介质层中具有第一凹槽，氮化镓单晶薄膜中具有第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽相连通。本发明通过剥离法获得氮化镓单晶薄膜，相对于传统异质外延法获得的氮化镓单晶薄膜，具有更高的晶体质量，以及显著降低的缺陷及位错密度；直接采用同质外延法形成分立的Micro LED外延结构，制备工艺简化，可避免芯片分离工艺中对外延结构造成的损伤，使器件性能更优异；可直接在基底中制备驱动电路，从而无需进行巨量转移，简化工艺，以及工艺难度和成本显著降低。
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公开(公告)号：CN113097352B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110363036.6
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法，氮化镓半导体结构包括基底、第二介质层、第一介质层及氮化镓单晶薄膜，第一介质层中具有第一凹槽，氮化镓单晶薄膜中具有第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽相连通。本发明通过剥离法获得氮化镓单晶薄膜，相对于传统异质外延法获得的氮化镓单晶薄膜，具有更高的晶体质量，以及显著降低的缺陷及位错密度；直接采用同质外延法形成分立的Micro LED外延结构，制备工艺简化，可避免芯片分离工艺中对外延结构造成的损伤，使器件性能更优异；可直接在基底中制备驱动电路，从而无需进行巨量转移，简化工艺，以及工艺难度和成本显著降低。
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公开(公告)号：CN114709122B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210380033.8
申请日：2022-04-12
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/10 , H01J37/09 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/304
Abstract: 本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
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公开(公告)号：CN118471775A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410574540.4
申请日：2024-05-10
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于防止离子轰击靶盘表面的保护装置，包括靶盘，靶盘具有靶盘底板和靶盘顶板，靶盘的内部腔体用于放置晶圆，晶圆通过设置在晶圆固定装置放置在靶盘底板上，在靶盘顶板上设有离子注入口，离子注入机的离子源发射的离子束流经由离子注入口轰击晶圆；在靶盘内部腔体上设置有若干组对射式光耦传感器，当晶圆碎片掉落时，其掉落轨迹会经过对射式光耦传感器的感应区域，对射式光耦传感器感应到晶圆碎片掉落后，会发送信号给离子注入机，离子注入机停止离子束流的注入。本发明通过在靶盘内部设置对射式光耦传感器，当其感应到离子束流在扫描晶圆表面的过程中可产生掉落的碎块时，会发送信号给动力装置和离子注入机，以避免因离子束流击穿晶圆固定装置与晶圆接触的导热层。
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公开(公告)号：CN114944327A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210581394.9
申请日：2022-05-26
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了柔性GaSb薄膜制备方法，其技术方案要点是：柔性GaSb薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤1：GaSb晶圆端面注入Al离子；步骤2：GaSb晶圆端部注入O离子，O离子与Al离子深度一致；步骤3：GaSb晶圆侧壁注入Al离子；步骤4：GaSb晶圆注入Al离子一侧侧壁位置注入O离子，O离子与步骤3所注入的Al离子位置一致；步骤5：将GaSb晶圆通过退火炉高温退火；步骤6：将柔性基底粘附在GaSb晶圆的离子注入面；步骤7：将GaSb晶圆表层撕下，由在GaSb晶圆侧壁注入Al离子及O离子位置作为起始点撕裂，形成GaSb薄膜。本发明实现在GaSb晶圆内部及侧壁位置形成一层氧化脆性层，并以侧壁位置的氧化脆性层为撕扯开裂的发起点，将GaSb薄膜从GaSb晶圆撕下，完成制备GaSb薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927404A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210528304.X
申请日：2022-05-16
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种高可靠、大束流离子发生装置，其技术方案要点是：一种高可靠、大束流离子发生装置，包括腔壁、灯丝、阴极板、支架、反射板，所述灯丝、阴极板、反射板均设置于腔壁内，且所述灯丝、阴极板与反射板分设于腔壁两端位置，所述支架材质为绝缘材质，所述支架固定于所述腔壁，所述阴极板固定于所述支架，所述阴极板与腔壁之间留有空隙，所述支架设置有防止金属离子沉积后导致灯丝短路的防短路结构，所述防短路结构为若干开设于所述支架侧壁并供金属离子沉积的储纳槽。本发明通过储纳槽优先先溅射常设的金属离子，延迟支架表面形成导电金属薄膜，提高离子发生装置的工作时间。
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公开(公告)号：CN114709122A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210380033.8
申请日：2022-04-12
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/10 , H01J37/09 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/304
Abstract: 本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
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公开(公告)号：CN119275080B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411803769.7
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02 , H01J37/147
Abstract: 本发明公开了用于离子注入机的引出抑制机构，包括主支架；X轴传动单元，X轴传动单元与抑制极单元连接；Y轴传动单元，Y轴传动单元的驱动端与X轴传动单元连接，Y轴传动单元用于驱动X轴传动单元沿着Y轴向移动；Z轴传动单元，Z轴传动单元的驱动端与X轴传动单元连接，Z轴传动单元用于驱动X轴传动单元沿着Z轴向移动；偏转轴传动单元，偏转轴传动单元设置在主支架上，偏转轴传动单元的驱动端与X轴传动单元连接，偏转轴传动单元用于驱动X轴传动单元偏转。本发明通过在现有的三轴传动机构上增加偏转轴传动单元，实现了对离子束的三维空间精确控制，这种高精度控制确保了离子束能够准确地到达目标位置。
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公开(公告)号：CN118471776A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410574541.9
申请日：2024-05-10
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02 , H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机中的晶圆表面电荷效应抑制装置，包括电子浴控制系统和电子浴发生器，电子浴控制系统发送工作参数至电子浴发生器，电子浴发生器根据工作参数调整向离子束发射的电子浴浓度，以中和到达晶圆的离子束中的带正电荷离子，在晶圆的周围设有电荷收集板，电荷收集板与晶圆所接受的离子束密度是一致的，且电荷收集板与晶圆的电位变化相同，电荷收集板的电位信号输出端与电位比较器连接，在电位比较器内与设有标准电位值，电位比较器将电荷收集板发送的当前电位值与标准电位值进行比较，并将差值发送至放大器放大后，反馈至电子浴控制系统，电子浴控制系统根据反馈的差值调整发送给电子浴发生器的工作参数，以确保电荷中和效果。
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公开(公告)号：CN114906617B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210485796.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: B65G49/06 , H01J37/317 , H01J37/02
Abstract: 本发明公开了一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其技术方案要点是：一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其特征在于：包括若干依次呈嵌套设置的主动传送轴管、若干依次呈嵌套设置的从动传送轴管、若干分别固定于主动传送轴管的两端位置的主动轮、若干分别固定于从动传送轴管的从动轮、设置于对应主动轮与从动轮之间并用于装载大尺寸玻璃基板的传送链、驱动若干传送链同步移动的驱动机构，若干传送链呈平行设置。本发明达到可以在真空取样室内可连续对多个大尺寸玻璃基板注入离子，避免真空取样室反复抽真空，提升离子注入效率，降低能源损耗。
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