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公开(公告)号：CN111133570B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880062354.5
申请日：2018-11-26
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 阿野清治
Abstract: 在第一表面(S1)上设置空腔(CV)和金属化膜(15)。第一及第二接地电极层(21、22)与第一及第二外部电极层(51、52)设置在第二表面(S2)上。在多个单位结构的每一个中，第一及第二接地电极层(21、22)与金属化膜(15)电连接。第一及第二元件焊盘(41、42)设置在空腔(CV)内。第一及第二外部电极层(51、52)分别与第一及第二元件焊盘(41、42)电连接。城堡型电极(70)与第一至第四单位结构(9A～9D)的每一个相接。城堡型电极(70)与第一及第二外部电极层(51、52)的每一个电切断。
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公开(公告)号：CN112805822A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201880098366.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
Inventor： 梅田勇治
Abstract: 半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。
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公开(公告)号：CN112601727A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980048264.5
申请日：2019-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 一种陶瓷坯体，其包含Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，包含Mo和Cr2O3中的至少一者作为任意成分。在陶瓷坯体中，Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，以MoO3换算计的Mo的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，剩余部分的含量小于0.1质量％。
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公开(公告)号：CN111034372A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053704.1
申请日：2018-09-11
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供减小高频信号的传输损耗并具有充足的机械强度的布线基板与柔性基板的连接构造。一种由布线基板(7)和柔性基板(8)构成连接构造的布线基板与柔性基板的连接构造(1)，布线基板(7)具备绝缘部件(4)、导体层(5)及接地层(6a)，柔性基板(8)具备绝缘片(9)和金属膜(10)，该金属膜(10)具备经由接合材料(22)接合于导体层(5)的信号线焊盘(10a)，具备在从柔性基板(8)的背面Q′侧透视连接构造(1)时信号线焊盘(10a)与导体层(5)重叠的重叠区域(28)，并且具备有用连接部分，将在与信号的传输方向垂直的方向上剖切该重叠区域(28)时的属于重叠区域(28)的信号线焊盘(10a)的宽度设为W、并将同样属于重叠区域(28)的导体层(5)的宽度设为WO时，满足WO＜W。
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公开(公告)号：CN114080674B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202080047546.6
申请日：2020-06-08
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/64 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 基体(10)由绝缘体陶瓷构成，且具有设置有沟槽(TR)的主面(MS)，沟槽(TR)包括与主面(MS)相连的平坦面(FP)。第一焊盘(21)设置在基体(10)的主面(MS)上，且由金属构成。引线(321)以与第一焊盘(21)电连接的方式设置在第一焊盘(21)上。第一焊盘(21)在沟槽(TR)的平坦面(FP)的外插面上具有侧面(FS)。在与基体(10)的主面(MS)垂直的至少一个剖视中，第一焊盘(21)在与主面(MS)平行的方向上的中点具有第一厚度(T1)，并且在侧面(FS)具有第二厚度(T2)，并满足第二厚度(T2)大于第一厚度(T1)的一半这样的厚度条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118575590A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089002.5
申请日：2022-02-10
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: H05K3/46
Abstract: 设有基板布线部(200)的陶瓷基板部(110)形成为基板生坯(GS)。陶瓷框部(120)形成为具有包围空腔(CV)的框形状的框状生片(GF)。在基板生坯(GS)上层叠框状生片(GF)。通过实施激光加工，在框状生片(GF)上形成到达基板布线部(200)而不贯通基板布线部(200)的过孔(VH)。在框状生片(GF)的过孔(VH)内形成过孔电极(510)作为电极生坯(G510)。烧成基板生坯(GS)、框状生片(GF)和电极生坯(G510)。
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公开(公告)号：CN117595821A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310973636.3
申请日：2023-08-04
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
Abstract: 本发明提供一种封装体。由陶瓷构成的框部(120)具有第一面(SF1)和第二面(SF2)。第二面(SF2)具有包围腔室(CV)的内缘和包围内缘的外缘(EO)。由陶瓷构成的基板部(110)具有第三面(SF3)，该第三面具有支承框部(120)的第二面(SF2)的部分和面向腔室(CV)的部分。电极层(200)设置于基板部(110)的第三面(SF3)上。过孔电极(510)具有在第一面(SF1)具有直径DA的端面(SFA)、以及在第二面(SF2)与电极层(200)相接且具有直径DB的底面(SFB)。满足DA＜DB。在俯视下过孔电极的底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并满足LO＞LI。
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公开(公告)号：CN117480599A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040561.7
申请日：2022-03-15
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 高井智生
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置用基板具备：绝缘板，具有第一面以及第二面；第一铜板，与所述绝缘板的第一面接合，用于形成导电图案；以及第二铜板，与所述绝缘板的第二面接合，在所述第一铜板以及第二铜板中的至少一方形成有多个凹部，各所述凹部的开口的直径D1小于该凹部的比开口靠内部的最大直径D2。
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公开(公告)号：CN112789256B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201880098397.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
Abstract: 本发明提供一种陶瓷烧结体以及半导体装置用基板。陶瓷烧结体以及半导体装置用基板包含Zr、Hf、Al、Y、Mg、Si、Ca、和Na及K中的至少一者、以及这些以外的剩余部分，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。
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公开(公告)号：CN114867699A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202180006937.8
申请日：2021-11-29
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: C04B35/119 , H01L23/15 , C04B37/02 , H05K1/03
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包含氧化铝、氧化锆和含有二氧化硅以及氧化镁的玻璃成分，并在表面侧具备具有镁的浓度峰值的结合层部，在与结合层部相邻的内部侧具备镁的浓度比结合层部小的内层部。
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