-
公开(公告)号：CN116250078B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280006442.X
申请日：2022-01-21
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/08
Abstract: 框部(120)由陶瓷构成，具有第一面(SF1)和第二面(SF2)。第二面(SF2)具有包围空腔(CV)的内缘和包围内缘的外缘(EO)。基板部(110)由陶瓷构成，具有第三面(SF3)，该第三面具有支承框部(120)的第二面(SF2)的部分和面向空腔(CV)的部分。电极层(200)设置于基板部(110)的第三面(SF3)上。过孔电极(510)具有：在第一面(SF1)具有直径DA的端面(SFA)；和在第二面(SF2)与电极层(200)相接且具有比直径DA小的直径DB的底面(SFB)。在俯视下过孔电极的底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI。
-
公开(公告)号：CN114867699B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180006937.8
申请日：2021-11-29
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: C04B35/119 , H01L23/15 , C04B37/02 , H05K1/03
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包含氧化铝、氧化锆和含有二氧化硅以及氧化镁的玻璃成分，并在表面侧具备具有镁的浓度峰值的结合层部，在与结合层部相邻的内部侧具备镁的浓度比结合层部小的内层部。
-
公开(公告)号：CN114026968A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047926.X
申请日：2020-12-09
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/09
Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
-
公开(公告)号：CN116715512A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310527850.6
申请日：2019-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/622 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 一种陶瓷坯体，其包含Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，包含Mo和Cr2O3中的至少一者作为任意成分。在陶瓷坯体中，Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，以MoO3换算计的Mo的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，剩余部分的含量小于0.1质量％。
-
公开(公告)号：CN116250078A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202280006442.X
申请日：2022-01-21
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/08
Abstract: 框部(120)由陶瓷构成，具有第一面(SF1)和第二面(SF2)。第二面(SF2)具有包围空腔(CV)的内缘和包围内缘的外缘(EO)。基板部(110)由陶瓷构成，具有第三面(SF3)，该第三面具有支承框部(120)的第二面(SF2)的部分和面向空腔(CV)的部分。电极层(200)设置于基板部(110)的第三面(SF3)上。过孔电极(510)具有：在第一面(SF1)具有直径DA的端面(SFA)；和在第二面(SF2)与电极层(200)相接且具有比直径DA小的直径DB的底面(SFB)。在俯视下过孔电极的底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114026968B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080047926.X
申请日：2020-12-09
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/09
Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
-
公开(公告)号：CN117595822A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310974062.1
申请日：2023-08-04
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
Abstract: 本发明提供一种封装体。第一过孔电极(511)沿第一中心轴(AX1)延伸，并具有位于框部(120)的第一面(SF1)且远离腔室(CV)的第一端面(SFA)和位于框部(120)内的第一底面(SFJ)。第二过孔电极(512)沿第二中心轴(AX2)延伸，并具有在框部(120)内与第一过孔电极(511)的第一底面(SFJ)电连接的第二端面(SFK)和在框部(120)的第二面(SF2)与基板电极层(200)相接的第二底面(SFB)。在俯视下第二过孔电极(512)的第二底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘(EI)的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并满足LO＞LI。第一中心轴(AX1)相比于第二中心轴(AX2)，更远离框部(120)的内缘(EI)。
-
公开(公告)号：CN116917255A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202180094868.0
申请日：2021-04-12
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包括：氧化铝；及玻璃成分，含有二氧化硅和锰，所述陶瓷烧结体在表面侧具有结合层，该结合层具有Mn的浓度的峰值，所述结合层的深度方向上的Mn的峰值相对于Si的峰值的比例为1.0～7.0。
-
公开(公告)号：CN112601727A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980048264.5
申请日：2019-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 一种陶瓷坯体，其包含Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，包含Mo和Cr2O3中的至少一者作为任意成分。在陶瓷坯体中，Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，以MoO3换算计的Mo的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，剩余部分的含量小于0.1质量％。
-
公开(公告)号：CN118575590A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089002.5
申请日：2022-02-10
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 绪方孝友
IPC: H05K3/46
Abstract: 设有基板布线部(200)的陶瓷基板部(110)形成为基板生坯(GS)。陶瓷框部(120)形成为具有包围空腔(CV)的框形状的框状生片(GF)。在基板生坯(GS)上层叠框状生片(GF)。通过实施激光加工，在框状生片(GF)上形成到达基板布线部(200)而不贯通基板布线部(200)的过孔(VH)。在框状生片(GF)的过孔(VH)内形成过孔电极(510)作为电极生坯(G510)。烧成基板生坯(GS)、框状生片(GF)和电极生坯(G510)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.028 seconds)
