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公开(公告)号：CN112805822B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201880098366.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
Inventor： 梅田勇治
Abstract: 半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。
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公开(公告)号：CN112789255A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880098368.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119 , H01L23/15
Abstract: 陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg，Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量％以上且23.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.9质量％以上且91.8质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.41质量％以上且1.58质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.10质量％以上且0.80质量％以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15％以下。
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公开(公告)号：CN112789256B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201880098397.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
Abstract: 本发明提供一种陶瓷烧结体以及半导体装置用基板。陶瓷烧结体以及半导体装置用基板包含Zr、Hf、Al、Y、Mg、Si、Ca、和Na及K中的至少一者、以及这些以外的剩余部分，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。
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公开(公告)号：CN112805822A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201880098366.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
Inventor： 梅田勇治
Abstract: 半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。
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公开(公告)号：CN112789256A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880098397.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
Abstract: 在陶瓷烧结体(3)中，Zr的含量以ZrO2换算为17.5质量％以上且23.5质量％以下，Hf的含量以HfO2换算为0.3质量％以上且0.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.3质量％以上且80.7质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.8质量％以上且1.9质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.1质量％以上且0.8质量％以下，Si的含量以SiO2换算为0.1质量％以上且1.5质量％以下，Ca的含量以CaO换算为0.03质量％以上且0.35质量％以下，Na以及K的合计含量在将Na的含量设为Na2O换算并将K的含量设为K2O换算的情况下，为0.01质量％以上且0.10质量％以下，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108025982B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201780002583.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
Abstract: 一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。
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公开(公告)号：CN108025982A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201780002583.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
CPC classification number: C04B35/119
Abstract: 一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。
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公开(公告)号：CN106458762A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078508.1
申请日：2014-12-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111 , H05K1/03
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al2O3为主结晶相，除此以外，仅包含ZrO2结晶相。包含：按Al2O3换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO2换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按ZrO2换算计为0.05～2.0质量％的Zr。
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公开(公告)号：CN101794859A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010104715.3
申请日：2010-01-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/047 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/314 , Y10T29/42
Abstract: 本发明公开了一种压电/电致伸缩元件，即使压电/电致伸缩层开裂，该元件仍可用作传感器。所提供的压电/电致伸缩元件10具有基板11、固着于基板11上的下部电极层12以及固着于下部电极层12上的压电/电致伸缩层13，并且下部电极层12相对于基板11的覆盖率为98％以下。
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公开(公告)号：CN107409472B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201680016103.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K3/46 , C04B35/111 , C04B37/02 , H05K1/03 , H05K3/38
Abstract: 本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al2O3或含有Al2O3的化合物为主晶相，Al2O3的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。
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