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公开(公告)号：CN1315176C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200480005703.8
申请日：2004-03-03
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76224
Abstract: 提供一种形成沟槽隔离结构的方法，在凹槽内它既不产生空隙，也不产生裂纹。该方法包括步骤：在硅基底表面上形成凹槽；涂覆聚硅氮烷溶液；在预烘干温度下预烘干涂层，调节温度使得温度在50～400℃的范围内随时间流逝而升高；在高于最大预烘干温度的温度下固化涂层；抛光和蚀刻该膜。以两步或多步的逐步增长方式或单调增长方式提高温度的同时进行预烘干。
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公开(公告)号：CN1947068A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012201.2
申请日：2005-04-08
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115 , Y10S430/162 , Y10S430/165
Abstract: 一种用于图案形成方法中的水溶性树脂组合物，所述方法涉及涂敷涂层到由ArF响应的辐射敏感树脂组合物形成的抗蚀图上并增大所述抗蚀图宽度以获得有效小型化的沟槽图案和孔图案，其中，抗蚀图层的尺度收缩程度比现有技术有提高，并且，其中粗/密抗蚀图对尺度收缩的依赖性减小；和一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。提供了一种用于上述图案形成方法中的水溶性树脂组合物，可适用于ArF受激准分子激光辐射，含有水溶性树脂、当被加热时能产生酸的发生剂、表面活性剂、交联剂和含水溶剂。还提供一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN1273865C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN99800496.0
申请日：1999-04-05
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/32139
Abstract: 一种形成具有高分辨率和高精确度的蚀刻图形的方法，该方法防止在有机抗反射膜和光敏感材料膜之间的界面中形成反应产物，并在蚀刻后减少了已蚀刻膜的残余物。在半导体基质10上形成由多晶硅组成的可蚀刻膜11，有机抗反射膜12，和由化学放大抗蚀剂制成的光敏材料膜13，该抗蚀剂含有(a)一种鎓盐化合物和(b)至少一种砜化合物或磺酸酯的化合物。通过掩模14对光敏材料膜13曝光并显影以形成已摹制的光敏材料膜13b 。其后用SO2-O2混合气体干法蚀刻抗反射膜，并且干法蚀刻已蚀刻的膜以形成蚀刻膜的图形。
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公开(公告)号：CN1823304A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020562.7
申请日：2004-06-04
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供了一种精细图形形成材料，含有水溶性树脂，水溶性交联剂，和水或由水和水溶性有机溶剂的混合液组成的溶剂，其特征在于其包含胺化合物；还提供了一种使用该材料的精细图形形成方法。该胺化合物为伯胺化合物或季胺化合物，该伯胺化合物包括肼，脲，氨基酸，葡糖胺衍生物和聚烯丙基胺衍生物，该季胺化合物包括该伯胺化合物的二甲基铵盐，三甲基铵盐，四甲基铵盐，二甲基乙基苄基铵盐和N－甲基吡啶鎓盐。在实际的使用图形形成材料使抗蚀图形精细化的方法中，在仅使用水进行显影的时候，上述材料允许形成图形缺陷减少了的固化涂层图形。
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公开(公告)号：CN1266177C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02809711.4
申请日：2002-04-25
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
IPC: C08F222/30 , C08F220/42 , C08F232/08 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0395 , C08F222/32 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/0382
Abstract: 本发明涉及新颖的聚合物，该聚合物包括至少一个衍生自烯属不饱和化合物的单元和至少一个非芳族环状单元，该化合物包含至少一个氰基官能度。当用于在深紫外区域中敏感的光刻胶组合物时，新颖聚合物是特别有用的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1261509C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01814918.9
申请日：2001-08-28
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D151/08 , C09D153/00 , C08L83/16 , C08L33/06
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/16 , H01L21/02203 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/31695 , Y02P20/125
Abstract: 一种多孔硅质膜，该膜稳定地显示低介电常数且机械强度和各种耐化学品性能均优异，可以承受CMP和其它集成电路的最新制造工艺并因此适用于中间层介电膜。此膜可通过烧制组合物的涂层而形成膜特征为相对介电常数小于2.5，该组合物包括聚烷基硅氮烷和聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯。
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公开(公告)号：CN1777842A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010756.9
申请日：2004-04-23
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/0226 , G03F7/0048
Abstract: 本发明提供了一种包含苯甲醇或其衍生物作为有机溶剂的抗蚀剂组合物。本发明还提供了一种用于除去抗蚀剂的有机溶剂，其中该有机溶剂包含苯甲醇或其衍生物。利用由UV射线辐射的辐射部分和非辐射部分之间的溶解度差异，本发明的抗蚀剂组合物被应用于形成微图案的平版印刷工艺中在涂布薄膜的时候极大地改进薄膜厚度的均匀度。此外，通过从装置上除去光敏材料，根据本发明的有机溶剂可以用来清洗在微电路形成过程中与光敏材料接触的装置。其还可以除去残留在光敏材料所涂布的基底的不希望部分上的光敏材料。
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公开(公告)号：CN1771466A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009527.5
申请日：2004-04-05
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/085 , G03F7/0226
Abstract: 本发明提供了一种用于光敏树脂组合物的附着力促进剂，其由通过右面的通式(1)表示的N－苯基－2H－苯并三唑化合物组成。该促进剂被加入到例如含有碱溶性树脂和光敏剂的光敏树脂组合物中，其中，R1－R4各自独立地表示氢原子，卤原子或C1－5烷基；在R5和R9中至少之一是羟基的条件下，R5－R9各自独立地表示氢原子，羟基，C1－10烷基，芳基，C7－12芳烷基，－R10COOR11，或者－R10CO－(OCH2CH2)n－OH；R10代表C2－5亚烷基；R11代表C1－8烷基；并且n是2－20的整数。
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公开(公告)号：CN1249525C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02818896.9
申请日：2002-09-07
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
IPC: G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/128
Abstract: 本发明涉及一种包含聚乙烯醇缩醛聚合物，水溶性光活性化合物，和交联剂的新型负性的水性光刻胶组合物。所述水溶性光活性化合物优选锍盐。本发明还涉及由该新型光刻胶组合物形成反像的方法。
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公开(公告)号：CN1751275A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004824.0
申请日：2004-02-16
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
Abstract: 本发明的水溶性树脂组合物至少包含水溶性树脂、加热时能够产生酸的酸产生剂和含水溶剂。该水溶性树脂组合物被施覆在由抗蚀剂例如ArF易感应放射线敏感树脂组合物形成在基底1上的高抗水性抗蚀图形3上，而在其上形成涂覆层4。将抗蚀图形3和涂覆层4进行热处理而在抗蚀图形3表面附近形成显影液不溶的改性层5。显影涂覆层，形成被改性层5增厚的抗蚀图形。改性层是具有足够厚度的层，能够在高抗水性抗蚀图形例如ArF易感应放射线敏感树脂组合物中形成，其尺寸可控性高。结果，有效地将抗蚀图形的分离尺寸和孔径尺寸降低到小于极限分辨率。由于改性层5在电子束辐射时具有对于抗蚀图形的保护膜作用，所以可以防止尺寸测量SEM电子束辐照时引起的抗蚀图形尺寸测量波动。
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