-
公开(公告)号：CN115505904A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211329081.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多气流通道的喷淋装置。本发明提供的多气流通道的喷淋装置，包括喷淋上板、分气衬套和喷淋下板：喷淋上板，设置有第一进气口和第二进气口；所述第一进气口位于中心轴位置，所述第二进气口为斜向下指向中心轴方向；所述分气衬套的中心轴位置，设置有第一分气通道，与第一进气口连接，接收第一反应源气体；所述分气衬套的边缘位置，设置有环形流道，与第二进气口连接，接收第二反应源气体；所述喷淋下板，将分气衬套导流的两种反应源气体进行喷入反应空间。本发明可以将两种反应源气体通过独立流道进气，在进入反应区域之前不相遇，同时可以达到均匀分布气体的效果。
-
公开(公告)号：CN115478262A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211135005.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了晶圆承载结构、热力学原子层沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆承载结构包括边缘环。所述边缘环支撑并封闭晶圆的外边缘，以防止反应气体进入所述晶圆的背部空间。通过配置该边缘环，所述晶圆承载结构能够减少化学源气体在晶圆背面的扩散，以避免晶圆背面长膜的情况，从而提升制备的晶圆及芯片的电气参数及可靠性。
-
公开(公告)号：CN115449779A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211116932.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用，涉及薄膜沉积的技术领域，本发明的改善方法包括：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。本发明解决了反应源蒸汽供给不足所导致的管线压力产生波动和所沉积薄膜厚度不稳定的技术问题，达到了反应源蒸汽浓度稳定且供给足够、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115440630A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211198981.6
申请日：2022-09-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/56
Abstract: 具有冷却功能的负载锁定装置及晶圆冷却控制方法。该负载锁定装置包括负载锁定腔、进气装置、排气装置、压力保护装置以及温度检测装置。当所述负载锁定腔的内部气压低于大气压力，所述进气装置被开启以回填进气，当所述负载锁定腔的内部气压回填至与大气压力相同后，所述排气装置被开启以将多余气体从所述负载锁定腔排出，当所述温度检测装置检测到晶圆温度满足一设定温度或者所述排气装置的排气时间满足一预设时间，则所述排气装置及所述进气装置被关闭；当所述负载锁定腔的内部气压高于一设定值后，所述压力保护装置被自动开启，以将所述负载锁定腔的内部气压控制在所述设定值内。
-
公开(公告)号：CN115389083A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210932954.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: G01L5/16 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及晶圆吸附力的测量系统、测量方法、计算机可读存储介质、晶圆托盘及其制备方法。所述测量系统包括多个传感器、多根导线、保护层及数据处理模块。所述多个传感器分布于晶圆托盘上的多个位置。所述多根导线按多个方向分别连接所述多个传感器。所述保护层覆盖所述多个传感器及所述多根导线。所述数据处理模块连接所述多根导线，以分别获取所述多个方向的传感器叠加信号，并根据各所述方向的传感器叠加信号确定各所述位置的晶圆吸附力。通过采用上述配置，本发明能够低成本、可靠、耐高温地测量晶圆托盘上多个位置的吸附力大小及分布均匀性，从而满足各种工艺条件下的晶圆吸附力的测量需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115346899A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211130244.2
申请日：2022-09-16
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种压力控制装置和方法。压力控制装置包括平衡阀，连通预载室以向预载室加压，其中预载室的第一端连接外部环境，而其第二端连接真空腔室，机械排气模块，连通预载室及外部环境，其中机械排气模块的触发气压为目标气压，目标气压大于外部环境气压，其中，压力控制装置被配置为：获取开启预载室的开启请求；根据开启请求开启平衡阀，以向预载室加压；监测机械排气模块是否被触发；响应于机械排气模块被触发的监测结果，关闭平衡阀；以及将预载室连通外部环境，以开放获取晶圆的入口。本发明不仅能避免在将晶圆送入预载室过程中外部尘粒进入预载室，影响半导体成品效果，而且还能取消对测压计的需求，从而降低装置成本并简化控制逻辑。
-
公开(公告)号：CN115233191A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210926474.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种反应腔及镀膜设备。本发明提供的反应腔，包括本体、加热器、晶圆和承托机构，加热器、晶圆和承托机构均设于本体内；晶圆的边缘搭接在承托机构的承托部上，且承托部的下表面与加热器的上表面贴合，因此晶圆的边缘采用热传导的方式加热，而晶圆的中部区域的加热方式为加热器通过加热间隙进行热辐射，相比于现有的晶圆所有区域均是热辐射加热，本实施例中晶圆边缘由热辐射改为热传导的加热方式，热传导的传热效果更好，可以提高晶圆边缘区域的温度，进而缩小晶圆中心和边缘的温度差，提高晶圆的温度分布均匀性，提高晶圆沉积的质量，提高产能。
-
公开(公告)号：CN110993532B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911217272.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于半导体制造的化学品加热装置，包括：一外壳；一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立；及一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。
-
公开(公告)号：CN114695215A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642969.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种机械手手指、机械手及其使用方法。在本申请的一实施例中，所述机械手手指包括：手指；及一或多个测温元件，其设置在所述手指内，并分别连接到所述手指的表面上的一或多个测温触点。所述机械手手指可用于在晶圆的传输过程中实时监测晶圆的温度。
-
公开(公告)号：CN114695051A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642968.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及一种半导体处理设备及方法。在本申请的一实施例中，所述半导体处理设备包括：晶圆承载盘体，其中设置有下电极，所述下电极耦接到直流电源；及上电极，其与所述晶圆承载盘体相对设置，所述上电极经由匹配电路耦接到射频发生器，且经由低通滤波器接地。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
442
records
(took 0.046 seconds)
