-
公开(公告)号:CN117116810A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311166812.9
申请日:2023-09-11
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种开腔装置、一种开腔方法及一种存储介质。所述开腔装置包括:旋转机构,其第一端连接腔室盖板,而其第二端连接平移机构的第一端;以及所述平移机构,其第二端连接腔室本体,其中,所述平移机构响应于开腔需求而向远离所述腔室本体的方向平移,所述旋转机构响应于所述平移机构的平移到位而向预设的开腔方向旋转。通过采用上述配置,本发明能够避免传输腔体与其移动盖板之间的局部摩擦,以提升传输腔内环境的密封性及洁净度。
-
公开(公告)号:CN115440630A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202211198981.6
申请日:2022-09-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/56
Abstract: 具有冷却功能的负载锁定装置及晶圆冷却控制方法。该负载锁定装置包括负载锁定腔、进气装置、排气装置、压力保护装置以及温度检测装置。当所述负载锁定腔的内部气压低于大气压力,所述进气装置被开启以回填进气,当所述负载锁定腔的内部气压回填至与大气压力相同后,所述排气装置被开启以将多余气体从所述负载锁定腔排出,当所述温度检测装置检测到晶圆温度满足一设定温度或者所述排气装置的排气时间满足一预设时间,则所述排气装置及所述进气装置被关闭;当所述负载锁定腔的内部气压高于一设定值后,所述压力保护装置被自动开启,以将所述负载锁定腔的内部气压控制在所述设定值内。
-
公开(公告)号:CN115346899A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202211130244.2
申请日:2022-09-16
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种压力控制装置和方法。压力控制装置包括平衡阀,连通预载室以向预载室加压,其中预载室的第一端连接外部环境,而其第二端连接真空腔室,机械排气模块,连通预载室及外部环境,其中机械排气模块的触发气压为目标气压,目标气压大于外部环境气压,其中,压力控制装置被配置为:获取开启预载室的开启请求;根据开启请求开启平衡阀,以向预载室加压;监测机械排气模块是否被触发;响应于机械排气模块被触发的监测结果,关闭平衡阀;以及将预载室连通外部环境,以开放获取晶圆的入口。本发明不仅能避免在将晶圆送入预载室过程中外部尘粒进入预载室,影响半导体成品效果,而且还能取消对测压计的需求,从而降低装置成本并简化控制逻辑。
-
公开(公告)号:CN115763327A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211212941.2
申请日:2022-09-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供了一种负载锁定腔、一种半导体器件的加工设备、一种半导体器件的传输方法以及一种计算机可读存储介质。所述负载锁定腔包括至少一个腔室本体,其中,所述腔室本体包括:晶圆托盘,用于承载待加工的晶圆;以及传片口,包括垂直侧壁及倾斜侧壁,其中,所述垂直侧壁用于引导所述晶圆从外界沿垂直方向传输到所述晶圆托盘,所述倾斜侧壁用于引导所述晶圆从外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。
-
公开(公告)号:CN115863231A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211526424.2
申请日:2022-11-30
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工设备以及一种半导体器件的加工方法。所述半导体器件的加工设备包括负载锁定模块、多个传输模块及工艺模块,其中,所述传输模块为多边形结构,包括多个连接端口,其特征在于,至少一个所述传输模块的第一连接端口设于所述多边形结构的边线位置,用于连接所述负载锁定模块、所述工艺模块和/或相邻传输模块的第二连接端口,而且所述传输模块第二连接端口设于所述多边形结构的顶角位置,用于连接所述相邻传输模块的第一连接端口。
-
公开(公告)号:CN117198934A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311152360.9
申请日:2023-09-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆位置的检测系统、检测方法、半导体器件的加工装置及计算机可读存储介质。所述晶圆位置的检测系统包括:第一传感器,与预设的标准位置保持第一Y向距离,并与中心点位于所述标准位置的待测晶圆的边缘保持的第一X向距离;第二传感器,与所述标准位置保持第二Y向距离,并与中心点位于所述标准位置的所述待测晶圆的边缘保持的第二X向距离;以及处理器,连接所述第一传感器及所述第二传感器,并被配置为:经由所述第一传感器及所述第二传感器分别感测其至所述待测晶圆的边缘的多向距离,并对其进行几何解析,以确定所述实际位置相较所述标准位置的X向偏移量及Y向偏移量。
-
-
-
-
-