-
公开(公告)号：CN105845398B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610168527.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01F27/36
Abstract: 本发明提供一种电感屏蔽环包括：平面螺旋电感及屏蔽环；所述平面螺旋电感位于所述屏蔽环中心位置，所述屏蔽环为不连续的金属块组成的环状，所述金属块通过通孔与扩散区连接。本发明提供了一种电感屏蔽环，用于解决现有技术中平面螺旋电感屏蔽环版图占用面积大，电感品质因数低的问题。
-
公开(公告)号：CN106145021B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510137590.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学微纳谐振腔结构及其制作方法，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本发明利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本发明利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105088166B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510524327.3
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变型氧化钒材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供氧化钒基材，对所述氧化钒基材进行气体离子注入，得到具有预设相变温度的相变型氧化钒材料。后续可选择性地通过进一步退火来调整氧化钒中注入气泡的形成情况，进一步调整应力应变及相变温度。本发明的相变型氧化钒材料的制备方法步骤简单，工艺重复性好，灵活性强，通过改变气体离子的注入剂量，可以连续调节氧化钒的相变温度。同时，本发明兼容性好，可与其它相变温度方法相结合，实现更大的相变温度调节范围。本发明还可实现区域相变温度调节，为氧化钒器件的制备提供了一个新的方向。
-
公开(公告)号：CN104750923B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510136875.9
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数的拟合满足精度要求，建立RF模型，生成模型卡。本发明通过将源漏寄生电阻加入DC模型和射频模型中，可以提高射频模型的建模精度，并且本发明将DC模型和射频模型相结合，可以减少射频模型建模的工作周期。
-
公开(公告)号：CN106952915A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610008692.3
申请日：2016-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11 , G11C11/412
CPC classification number: H01L27/11 , G11C11/412 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMOS晶体管组成。本发明中，组成第一反相器及第二反相器的四个晶体管的源极均采用加固源区，这种加固源区在不增加器件的面积的情况下可有效抑制SOI器件的总剂量效应导致的Box漏电、上下边角漏电及侧壁漏电。并且本发明在有效抑制总剂量效应的同时，还可以抑制晶体管的浮体效应。本发明消除了传统抗总剂量加固结构增加芯片面积以及无法全面抑制总剂量效应导致的漏电的缺点。并且本发明的方法具有制造工艺简单、与常规CMOS工艺相兼容等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711027A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710076760.4
申请日：2017-02-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , B81C3/00
CPC classification number: H01L21/02104 , B81C3/001 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合方法及异质衬底制备方法，所述晶圆键合方法至少包括：S1：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面；S2：对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行键合前预加热处理；S3：将所述第一晶圆的第一键合面与所述第二晶圆的第二键合面进行键合。通过上述方案，本发明对晶圆键合前预加热，可以有效降低异质键合结构在高温后退火中的热应变，进而扩大异质键合的使用范围，提高异质集成材料的可靠性；同时，解决异质键合结构在高温后退火工艺中，因为热应变而发生的解键合以及键合结构碎裂的问题。
-
公开(公告)号：CN103558279B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310574812.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4146
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
-
公开(公告)号：CN106209003A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
-
公开(公告)号：CN105895576A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610527885.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105870186A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610237267.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
476
records
(took 0.054 seconds)
