公开(公告)号：CN105696078A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610223736.4

申请日：2016-04-12

申请人： 盐城市振弘电子材料厂

发明人： 徐国忠 ,  王斌 ,  仇如成

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00

摘要： 本发明涉及一种钽酸锂单晶的制备方法，它包括以下步骤：(a)将氧化钽和碳酸锂按质量比为86.1～86.3∶13.7～13.9进行混合得第一混合物；(b)将所述第一混合物放入第一坩埚中，置于第一加热炉内，以8～10℃/分钟的速度将加热炉由室温升温至300℃，保温1.5～2小时；以3～5℃/分钟的速度将加热炉由300℃升温至800℃，保温5～10小时；以3～5℃/分钟的速度将加热炉由800℃升温至1400℃；(c)加热使钽酸锂多晶料块融化形成熔融液；再向其内通入氧气，使得惰性气体与氧气的比例为50～60∶1；(d)以1～5mm/小时的速度向上提拉，进行自动生长即可。通过精确控制其原料比例、工艺步骤和升温方式等，能够制得纯度高、成分均匀的近化学计量比钽酸锂晶体。

公开(公告)号：CN105624789A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610087489.X

申请日：2016-02-16

申请人： 中科九曜科技有限公司

发明人： 张庆礼 ,  林东晖 ,  刘文鹏 ,  孙贵花 ,  罗建乔 ,  彭方 ,  殷绍唐 ,  窦仁勤

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/36 ,  C30B11/14 ,  C30B17/00 ,  C09K11/78

CPC分类号： C30B29/30 ,  C09K11/7766 ,  C30B11/14 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00

摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钆化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料。

公开(公告)号：CN105568384A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610069318.4

申请日：2016-01-28

申请人： 中科九曜科技有限公司

发明人： 张庆礼 ,  林东晖 ,  刘文鹏 ,  孙贵花 ,  罗建乔 ,  彭方 ,  殷绍唐 ,  窦仁勤

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B11/02

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B11/02 ,  C30B15/00

摘要： 本发明公开了一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，具有以下化学式组成：TmyHozBi1-y-zNbO4，其中0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开了上述铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法，包括如下步骤：将含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀后，进行合成反应得到化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料；将化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。本发明可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。

公开(公告)号：CN105531619A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050028.4

申请日：2014-09-11

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 碇真宪

IPC分类号： G02B27/28 ,  C30B29/22 ,  C30B29/32 ,  G02F1/09

CPC分类号： C30B29/22 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/457 ,  C04B35/462 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C30B1/12 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  G02F1/093

摘要： 本发明提供透明的磁光材料，其包含含有由下述式(1)表示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或由下述式(1)表示的复合氧化物的单晶，波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上，不会吸收波段0.9～1.1μm的光纤激光，也不引起热透镜的产生，维尔德常数比TGG结晶大，适合构成光隔离器等的磁光设备。Tb2R2O7(1)(式中，R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素(不过，对于硅、锗及钽，不包括为该元素单独的情形))。

公开(公告)号：CN104583469A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044037.8

申请日：2013-08-29

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人信州大学

发明人： 藤原靖幸 ,  干川圭吾

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B11/00

CPC分类号： H01M10/0562 ,  C30B11/00 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B29/30 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/0071

摘要： 本发明的主要目的在于，提供一种钙钛矿结构的固体电解质单晶及其制造方法。本发明涉及钙钛矿结构的固体电解质单晶的制造方法以及通过该制造方法制造的钙钛矿结构的固体电解质单晶，该制造方法具有：加热工序，通过将用于制造钙钛矿结构的固体电解质单晶的原料加热至固体电解质的熔点以上的温度而得到熔体；冷却工序，将得到的熔体冷却至固体电解质的凝固点以下的温度。

公开(公告)号：CN102272070A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980152376.1

申请日：2009-12-25

申请人： 株式会社根本研究所

发明人： 平等拓范 ,  秋山顺 ,  浅井滋生 ,  原邦彦

IPC分类号： C04B35/00 ,  B28B1/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C30B1/02 ,  C30B29/22 ,  H01S3/16

CPC分类号： H01F41/0253 ,  B28B1/00 ,  B33Y40/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/9653 ,  C30B28/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  C30B30/04 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/1671 ,  H01S3/1673 ,  H01S3/1685

摘要： 为了制造透光性多晶材料，制备使包含添加有稀土类元素的光学各向异性的单晶颗粒的原料粉末悬浮在溶液中而制成的悬浮液(浆料1)。通过在磁场空间中进行注浆成形而由悬浮液获得成形体。此时，在以使单晶颗粒发挥规定的磁各向异性的方式进行温度控制的同时，根据单晶颗粒的易磁化轴方向来选择并施加静磁场和旋转磁场之一。对成形体进行烧成，获得具有控制了晶体取向的多晶结构的透光性多晶材料。在所述烧成工序中，在1600～1900K的温度下对成形体实施初次烧结后，在1600～1900K的温度下对初次烧结体进行热等静压烧结(HIP处理)。

公开(公告)号：CN1316069C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200380100707.X

申请日：2003-10-09

申请人： 赛若朴有限公司

发明人： 李壕用 ,  李钟泛 ,  许泰茂 ,  金董皓

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32

摘要： 本发明公开了一种在有反常颗粒生长发生的多晶体中生长单晶体的方法。该方法的特征是通过控制有反常颗粒生长现象发生的多晶体中基体颗粒的平均尺寸，减小反常颗的粒数目密度(单位面积内反常颗粒数目)，从而产生极其有限数目的反常颗粒或在保证反常颗粒生长驱动力的范围内抑制反常颗粒的产生。因此该发明方法在多晶体内仅仅连续生长极其有限数目的反常颗粒或种籽单晶体，以得到尺寸大于50毫米的大的单晶体。

公开(公告)号：CN1938605A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010167.5

申请日：2005-06-22

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 藤浦和夫 ,  今井钦之 ,  笹浦正弘 ,  中村孝一郎

IPC分类号： G02B1/02

CPC分类号： G03F7/70958 ,  C30B29/30 ,  G02B1/02 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/918 ,  Y10T117/1068

摘要： 一种光学材料，其具有高折射率，没有各向异性，并具有宽的透射波长范围。采用了由αβO3构成的立方晶体材料，其中，α为K、Ba、Sr、Ca中的至少一种，β为Ta、Ti中的至少一种。优选地，采用由KTa1－xNbxO3构成的立方晶体材料，其中，组份x满足0≤x≤0.35，提高了折射率，同时保持相变温度低于室温。

公开(公告)号：CN1295790C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410031478.7

申请日：2004-03-29

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 木岛健 ,  宫泽弘 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  H01L41/08

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C30/00 ,  C30B5/00 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1%以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔%以上、40摩尔%以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1292104C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02826935.7

申请日：2002-11-13

申请人： 迪马蒂克斯股份有限公司

发明人： 保罗·A·霍辛顿

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： B41J2/1645 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14266 ,  C30B5/00 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： 压电器件可以通过如下制备，包括：在基底上放置针状晶种，对基底上的该晶种定向，和从该针状晶种生长压电膜。