中红外多波段全光纤软玻璃激光器及获得激光的方法

    公开(公告)号:CN106374327A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201610727455.2

    申请日:2016-08-25

    CPC classification number: H01S3/06716 H01S3/067 H01S3/0912 H01S3/1603

    Abstract: 本发明提供一种中红外多波段全光纤软玻璃激光器及利用该激光器获得中红外多波段光纤激光的方法,激光器包括依次连接的激光泵浦源、激光泵浦源尾纤、第一光纤熔接点、第一光纤光栅、第二光纤光栅、第一稀土离子掺杂光纤、第三光纤光栅、第四光纤光栅、第二光纤熔接点、第五光纤光栅、第六光纤光栅、第七光纤光栅、第八光纤光栅、第二稀土离子掺杂光纤、第九光纤光栅、第十光纤光栅、第十一光纤光栅、第十二光纤光栅;本发明采用半导体激光器泵浦的双波段级联掺Ho3+氟化物光纤激光器作为泵浦源,环形复合芯结构的Pr3+,Tb3+共掺硫化物光纤作为增益介质,硫化物光纤光栅阵列作为谐振腔反馈及输出耦合,可在全光纤结构下实现3.7μm,4.89μm,5.1μm,7.5μm四个波段光纤激光同时输出。

    一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108950688A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810928717.0

    申请日:2018-08-15

    Inventor: 罗毅

    CPC classification number: C30B29/34 C30B15/00 C30B33/02 H01S3/1603

    Abstract: 本发明涉及一种激光晶体,尤其是涉及一种具有良好压电和磁光性能的土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其制备方法。一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体,其摩尔百分比组成为:Tb4O662~73mol%、Ga3O354~71mol%、SiO282~92mol%和Pr 4.5‑10mol%、Ce 2.3‑10mol%、Sc1.4‑10mol%、Er1.9‑10mol%、Dy1‑10 mol%中的一种或几种构成的掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。其制备方法通过(1)配置初始原料→(2)单晶生长→(3)晶体退火→得到稀土离子掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。本发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其生长方法,获得了其激光特性和压电特性,并在光电、激光、通信领域中具有重要的应用前景,同时参杂的硅酸镓铽晶体具有优良的磁光性能,同时可以在光纤隔离器中使用,特别是大功率的光纤隔离器。

    一种镨镝镱共掺杂红外飞秒激光晶体材料及其应用

    公开(公告)号:CN108193273A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201810092056.2

    申请日:2018-01-30

    Inventor: 陆知纬

    CPC classification number: C30B29/28 H01S3/1603

    Abstract: 本发明提供了一种镨镝镱共掺杂红外飞秒激光晶体材料,其化学式为:Lu3-x-y-zYbxDyyPrzAl5O12;其中,0.12≤x≤0.26,0.08≤y≤0.18,0.01≤z≤0.07。本发明还提供了镨镝镱共掺杂红外飞秒激光晶体材料的制备方法,包括配料、烧结、晶体生长、降温等步骤。本发明提供的镨镝镱共掺杂红外飞秒激光晶体材料制备工艺简单,制备工艺简单,荧光效率高,输出时间快,荧光效率高。

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