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公开(公告)号：CN1590026A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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公开(公告)号：CN1569399A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410045172.7
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70－99.9质量％的交联二烯弹性体和(B)0.1－30质量％的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量％计，并且其比重为0.9－1.2。
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公开(公告)号：CN101078879B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710105178.2
申请日：2007-05-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/00 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供一种感放射线性树脂组合物，其特征在于，含有(A)嵌段共聚物、(B)聚合性不饱和化合物、(C)感放射线性聚合引发剂，其中(A)嵌段共聚物具有2个以上的嵌段链段，在其中的至少一个嵌段链段上含有碱可溶性部位。可以容易地形成高感度、高分辨率、并且图案形状、压缩特性、耐摩擦性、与透明基板的密合性等诸性能优异的图案状薄膜，抑制了LCD显示中的烧屏的间隔物形成用感放射线性树脂组合物，由该组合物形成的间隔物以及其形成方法。另外，还提供可以减少液晶滴加量所引起的未填充区域故障、防止在滤光片上由于压力所造成的损伤、克服在工序上产生的厚度偏差的间隔物形成用感放射线性树脂组合物。
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公开(公告)号：CN101154041B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610172859.6
申请日：2006-09-29
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及一种放射线敏感性树脂组合物，其含有不饱和羧酸或不饱和羧酸酐与(甲基)丙烯酰氧基氧杂环丁烷的共聚物、1，2-醌二叠氮化合物和热敏性酸生成化合物。该组合物没有安全性上的问题，灵敏度、分辨率、作为溶液的保存稳定性等优良，在显影工序中即使超过最适显影时间，也可以形成良好的图案形成，具有良好的显影余量，可用于形成层间绝缘膜和微透镜。
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公开(公告)号：CN1550288B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410043098.5
申请日：2004-04-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/00 , H01L21/304 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/205 , B24D18/0009
Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
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公开(公告)号：CN1309026C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03801567.6
申请日：2003-08-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/30 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。
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公开(公告)号：CN1757483A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510113273.8
申请日：2005-09-16
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/24
Abstract: 一种化学机械抛光衬垫，在以下条件下测量抛光基板在30℃和60℃下的储存弹性模量时，该化学机械抛光衬垫在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)小于或等于120MPa，而且在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)与在60℃下的储存弹性模量E′(60℃)的比(E′(30℃)/E′(60℃))大于或等于2.5，条件如下：初始负荷：100g；最大偏移：0.01％；频率：0.2Hz。使用上述化学机械抛光衬垫的化学机械抛光方法。该化学机械抛光衬垫可以抑止在化学机械抛光步骤中在被抛光表面产生刮痕，并且可以提供高质量的抛光表面，而且该化学机械抛光方法通过使用该化学机械抛光衬垫而提供高质量的抛光表面。
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公开(公告)号：CN1689758A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068474.0
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
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公开(公告)号：CN1654169A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510054230.7
申请日：2005-02-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D3/22 , C08J5/00 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法，其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物，将上述组合物成形为预定的形状，并在成形的同时或者成形后加热使其固化，以及一种化学机械抛光方法，其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明，可以提供一种化学机械抛光垫，其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术，在得到平坦的被抛光面的同时，还能达到较高的抛光速度，且具有足够长的寿命。
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