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公开(公告)号：CN105891830B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610225145.0
申请日：2016-04-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种利用铁电材料组合阵列天线实现的高分辨率汽车防撞雷达，包括依次设置的多个分别与微波发射电路连接的天线单元，所述天线单元包括微带天线单元和菱形天线单元，所述微带天线单元通过馈线连接到微波发射电路；所述菱形天线单元通过馈线连接到铁电电容结构，所述铁电电容结构再与微波发射电路相连，所述铁电电容连接有可调的直流电压。本发明通过采用铁电可调相位的组合天线阵列，补偿了微波发射电路的相位变化，灵活的调整天线的相位，提高多目标条件下雷达的分辨能力。本发明相对于现有技术，可以灵活调整相位，提高了多目标的分辨率，结构简单易于集成等优点；因此，本发明具有很强的实用性及应用前景。
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公开(公告)号：CN119892573A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510048281.6
申请日：2025-01-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04L27/00 , G06F18/25 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/0985
Abstract: 本发明涉及一种基于轻量化时空融合组合网络的自动调制识别方法，属于通信信号自动调制识别领域。该方法通过将待识别信号的I/Q分量分别塑形为时间流和空间流，并分别输入时间特征提取通道和空间特征提取通道，提取时间特征和空间特征，然后将提取到的特征进行连接并输入分类模块，最终输出识别结果，即待识别信号的调制类型。本发明提出的轻量化时空融合组合网络模型，通过减少卷积通道数和LSTM网络的隐藏层维度，降低了模型参数量和浮点计算量，同时保证了特征的充分提取，从而实现了较高的识别准确率。与现有技术相比，本发明具有参数量少、计算量低、识别准确率高等优点，适用于资源受限设备。
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公开(公告)号：CN119480814A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411653438.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明属于半导体功率模块技术领域，涉及一种半导体功率模块散热结构，包括散热基板，所述散热基板具有流体容腔，所述流体容腔内形成有流体通道，并在所述散热基板上还设有沿流体容腔中的流体流动方向，并位于所述散热基板两端的基板进液口和基板出液口，且所述基板进液口和所述基板出液口分别与所述流体通道的两端连通。本发明使位于半导体功率模块中心的芯片可以得到良好的冷却效果，使整体芯片温度更加均匀，同时解决了传统散热结构在靠近出口处，芯片温度较高的问题。
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公开(公告)号：CN119384128A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501930.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H10H20/84 , H10H20/855 , G02B6/12 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层、氮化硅波导层/超表面结构、BCB键合层、P型氮化镓层、氮化镓多量子阱层、N型氮化镓层和P/N型电极。本发明通过设计氮化硅波导的尺寸匹配可见光单模传输条件与氮化镓发光波长范围，在氮化硅波导层刻蚀制备周期性超表面结构调控氮化镓可见光的振幅、相位和偏振，实现可见光与氮化硅波导的高效率耦合，同时通过BCB键合层实现两种不同材料体系的集成。该设计可有效实现氮化硅光子集成芯片可见光源集成，解决氮化硅波导与可见光激光器耦合损耗较大、对准精度要求高等难题，为芯片级生物医疗检测和光谱分析提供光源实现方案。
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公开(公告)号：CN119384028A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501935.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率模块，属于器件封装技术领域。该模块包括散热底板、绝缘基板、金属层、功率端子、信号端子、芯片和感温电阻。绝缘基板设置在散热底板表面，金属层设置在绝缘基板表面，功率端子、信号端子、芯片和感温电阻均设置在绝缘基板上且与金属层电连接。部分芯片在绝缘基板中间区域形成下桥，另一部分芯片在下桥两侧形成上桥，上、下桥芯片数量相等。功率端子、上桥芯片和下桥芯片共同在功率模块中形成大小相等、方向相反的功率回路。本发明可解决因电流分配不均匀导致个别芯片温度过高以及因寄生参数过大产生的电磁干扰问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148806B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号：CN114927569B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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公开(公告)号：CN118114733A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410271960.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06N3/08 , G06N3/063 , G06N3/0442 , G06N3/049
Abstract: 本发明涉及一种基于脉动阵列的LSTM前向传播加速方法，属于神经网络加速技术领域。在传统二维脉动阵列结构中，输入矩阵X的每一行与权重矩阵W的每一列都要进行相乘再累加的操作，实现数据的高度复用。但循环神经网络中存在大量的大规模矩阵向量乘运算，无法利用高数据复用率的传统脉动阵列结构进行运算和加速，因此，本发明引入了一种基于脉动阵列的前向传播加速方法，充分了利用硬件资源，结合脉动阵列结构，减小了计算所需带宽和访存次数，并优化了脉动阵列中各个PE的计算时间，从而缩短整体的硬件工作时间，最大化利用脉动阵列实现LSTM的加速效果。
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公开(公告)号：CN117155509A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311224240.5
申请日：2023-09-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于局域网的多线程、高并发的便携式DMB同步发射系统，属于移动通信技术领域。该系统包括业务信息客户端和DMB发射台，客户端和发射台之间的数据以传输帧的形式通过TCP Socket网络协议馈送；本发明在单颗SoC芯片上集成多路业务复用模块和基带调制模块，进一步提高DMB发射系统集成度；引入PTP同步技术，优化DMB同步装置，以提高发射系统的同步精度和稳定性；通过局域网通信技术，结合WiFi和以太网实现业务数据的多线程、高并发传输，提升DMB发射机的数据接收能力与接收范围，摆脱有线传输的限制。WiFi和以太网都支持多个设备连接，实现点对面的传输关系，提高了协作和互联的效率，进一步提升DMB系统的适用范围。
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