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公开(公告)号：CN105353680B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510807657.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 许昌学院
IPC: G05B19/042 , G05D27/02
Abstract: 本发明提供了一种用于原子层沉积仪的控制设备，包括单片机控制系统、温控模块和保护模块，单片机控制系统包括单片机、程序输入单元、时间控制单元、信号控制单元、执行单元和显示单元，程序输入单元、时间控制单元、信号控制单元和显示单元均与单片机连接，信号控制单元的输出端通过执行单元连接至执行元件；温控模块与单片机及执行元件连接；保护模块包括与单片机连接的温度保护单元和断电保护单元。本发明避免了采用计算机或工控机多级间接控制执行单元的复杂性，直接采用单片机现场控制，以此控制设备为核心的原子层沉积仪具有定时可控泵入各种前驱体、体系温度及过热、停电保护以及报警的功能，显著降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN108206270A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201810049060.0
申请日：2018-01-18
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括：将镁粉、纳米氧化硅以及无机盐按照一定比例混合后采用干压成型工艺压制成片状，然后将片状材料于二氧化碳氛围下在管式炉中高温煅烧，煅烧完成后分别在盐酸溶液和氢氟酸溶液中进行一次酸洗和二次酸洗，离心清洗至中性，最后真空干燥得到碳纳米片包覆纳米硅复合材料。本发明提供的原位制备方法操作简单，条件温和，在相对较低的温度下利用简单设备实现了碳纳米片包覆纳米硅复合材料的制备，安全环保，有效降低了碳改性纳米硅复合材料的制备成本。
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公开(公告)号：CN107245689A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710358213.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C8/06
CPC classification number: C23C8/06
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好，卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大，直径可达到0.5‑2微米，优选可达到1‑3微米，克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。
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公开(公告)号：CN105039938A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510342675.9
申请日：2015-06-19
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供了一种通过单源可溶配合物铁盐为前驱物一步法水热沉积氧化铁薄膜的方法。以柠檬酸高铁铵或草酸高铁铵为原料，在90-200度下水热沉积得到牢固致密的氧化铁薄膜。本方法制备的氧化铁薄膜可以直接沉积到F掺杂的二氧化锡导电玻璃、表面处理的不锈钢基片以及普通玻璃上。经过乙醇还原再氧化的过程活化的薄膜光电性能良好。本发明的优点：避免了使用多种反应前驱物，无需调节溶液中的其他添加剂的浓度；并且直接获得了氧化铁薄膜，无需经过FeOOH退火转化为氧化铁的过程，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN110660914B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109065738B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201810916176.X
申请日：2018-08-13
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。
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公开(公告)号：CN110760874B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910982735.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 许昌学院
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/077 , C25B11/087 , C25D3/20 , C25D5/50 , H01M10/54
Abstract: 本发明提供一种利用废弃磷酸铁锂电池制备氧化铁光阳极薄膜的方法，所述薄膜的结构包括光吸收层，所述光吸收层的下表面设有衬底，所述衬底为FTO导电玻璃，包括以下步骤：拆解电池，分离铜箔、铝箔、正极材料磷酸铁锂及负极材料石墨；用草酸、双氧水溶解磷酸铁锂材料，得到浸出液A；采用两或三电极沉积，浸出液A作为电解液，在经清洗过的FTO导电玻璃衬底上电沉积一层Fe薄膜；将得到的Fe薄膜，经500～800℃退火1～10min，即得产品氧化铁光阳极薄膜。本发明采用草酸浸出废弃磷酸铁锂电池中的磷酸铁锂，经过电沉积和退火处理得到氧化铁薄膜，具有环境友好、节能省时、设备简易、操作简便，且得到的目标产物电化学活性高；工艺简单可控，适用于规模化生产等优点。
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公开(公告)号：CN108117274B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711460936.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明提供一种液相传输制备α‑氧化铁薄膜的方法，包括如下步骤：将草酸或草酸盐与硝酸盐溶于蒸馏水配成混合溶液，调节混合溶液的pH为1‑3；将混合溶液倒入高压反应釜的内衬中；向高压反应釜的内衬中加入固态含铁化合物粉末；将清洗过的导电玻璃基片放入高压反应釜内衬的混合溶液中，密封高压反应釜；将高压反应釜置于烘箱中反应后，自然冷却；取出沉积有α‑氧化铁薄膜的导电玻璃基片，用蒸馏水冲洗、自然干燥，得到α‑氧化铁薄膜。本发明可以避免使用高纯度可溶性铁盐前驱体，方法简便、操作方便，既能用于制备光电薄膜，又能循环利用含铁固体废弃物。
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公开(公告)号：CN110759644A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910982750.6
申请日：2019-10-16
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种用废弃磷酸铁锂电池合成磷酸铁和氧化铁薄膜的方法，包括以下步骤：拆解电池，分离铜箔、铝箔、正极材料磷酸铁锂及负极材料石墨；用草酸、双氧水溶解磷酸铁锂材料，得到浸出液A；以浸出液A、去离子水及乙二醇作为前驱体，经调节pH后，采用水热法在经清洗过的FTO导电玻璃衬底上沉积得到磷酸铁薄膜；再经退火，即得到氧化铁薄膜。本发明采用水热法一步得到目标产物磷酸铁薄膜，退火后成为氧化铁薄膜，用于光电分解水制氢，具有环境友好、节能省时、设备简易、操作简便，且得到的目标产物电化学活性高；工艺简单可控，适用于规模化生产等优点。
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公开(公告)号：CN110112397A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910429364.4
申请日：2019-05-22
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池负极材料及其制备方法；以二茂铁、硼酸、硫脲、聚乙二醇作为原料，去离子水和无水乙醇作为溶剂，将混合均匀的溶液干燥处理后即得到前驱体材料，前驱体材料通过一步热解硫化过程即能得到空心结构的B-N共掺杂碳/FeS复合材料。该制备方法简单，成本低，对环境污染危害小，所得样品的空心结构很好的提高电极材料的循环稳定性，能够进行大规模的生产，在锂离子电池负极材料方向具有一定的应用价值。
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