公开(公告)号：CN109065738B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201810916176.X

申请日：2018-08-13

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  刘启 ,  陈璐 ,  雷岩 ,  杨晓刚 ,  齐瑞娟

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。

公开(公告)号：CN109065738A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810916176.X

申请日：2018-08-13

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  刘启 ,  陈璐 ,  雷岩 ,  杨晓刚 ,  齐瑞娟

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0077

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种基于铜铅合金合成高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的化学方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。