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公开(公告)号：CN102801680B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210253839.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种确定多载波微放电二次电子数目的方法，首先以不同幅度、待分析多载波信号中最小频率的单路载波信号作为激励信号，计算待分析微波部件中的二次电子数目，数学处理后得到不同激励信号作用下的电子累积速率曲线。然后将多载波合成信号每两个相邻零点之间的信号作为一个计算子区间，将各计算子区间中的多载波信号等效为具有特定幅度的多载波信号中最小频率的单载波信号，通过查找电子累积速率曲线获得与等效单载波信号幅度对应的电子累积速率，将每两个相邻零点之间多载波信号作用产生的电子数目进行累积，可以得到各计算子区间结束时的电子数目，通过对上述结果进行统计，可以得到不同时刻多载波合成信号作用时待分析微波部件中的二次电子数目。
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公开(公告)号：CN102984109A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210431012.0
申请日：2012-10-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04L27/26
Abstract: 一种确定空间微波部件给定相位多载波微放电阈值的方法，以多载波合成信号为激励，采用近似计算或粒子模拟获得不同幅度载波信号、相同仿真或计算时间的电子累积数目，采用互补累积概率分析，判断相同时间内不同幅度电子累积曲线的变化特性，确定微放电阈值临界值。在此基础上，采用近似计算或粒子模拟获得阈值临界值信号幅度载波信号、不同时间长度的电子累积数目，采用互补累积概率分析，判断不同仿真时间内各幅度电子累积曲线的重合特性，从而确定最终的微放电阈值。
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公开(公告)号：CN119682327A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411659629.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有能量选择特性的卫星用热控薄膜，具有能量选择特性的卫星用热控薄膜为多层复合结构，多层复合结构包括热控防护层、基底层和能量选择层，热控防护层与基底层的一侧贴合，基底层的另一侧与能量选择层贴合；热控防护层、基底层和能量选择层均为薄膜结构。本发明提出的在能量选择层上采用二极管的周期性结构，一方面发射太阳光谱，接收具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的太阳吸收率，提升热控性能，另一方面能量选择层可以根据入射电磁信号的强弱而改变自身的表面阻抗特性，进而改变具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的表面阻抗特性，实现弱电磁信号低损通过和强电磁信号抑制传输的空间强电磁环境防护能力，解决了现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN110414053B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910569890.0
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种快速确定部件微放电阈值的时域数值模拟方法，包括：建立描述部件最小尺寸结构的三维几何模型，并将所述三维几何模型剖分成多个六面体网格；确定三维几何模型的边界和材料属性，以及材料的二次电子发射特性参数；采用宏粒子模拟空间中的自由电子，定义宏粒子的初始能量、电荷量、质量、初始分布状态和初始运动方向；建立宏粒子链表，并进行宏粒子链表初始化；基于三维几何模型、三维几何模型的边界和材料属性、材料的二次电子发射特性参数、以及宏粒子链表，从微放电阈值扫描功率起始值P0开始，进行微放电阈值数值模拟。通过本发明提高了微放电数值模拟的仿真效率。
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公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113718221A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028757.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN108546929B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN110414053A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910569890.0
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种快速确定部件微放电阈值的时域数值模拟方法，包括：建立描述部件最小尺寸结构的三维几何模型，并将所述三维几何模型剖分成多个六面体网格；确定三维几何模型的边界和材料属性，以及材料的二次电子发射特性参数；采用宏粒子模拟空间中的自由电子，定义宏粒子的初始能量、电荷量、质量、初始分布状态和初始运动方向；建立宏粒子链表，并进行宏粒子链表初始化；基于三维几何模型、三维几何模型的边界和材料属性、材料的二次电子发射特性参数、以及宏粒子链表，从微放电阈值扫描功率起始值P0开始，进行微放电阈值数值模拟。通过本发明提高了微放电数值模拟的仿真效率。
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公开(公告)号：CN109060854A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810695524.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
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公开(公告)号：CN106156440B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610585498.1
申请日：2016-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
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