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公开(公告)号：CN101527342A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910021793.4
申请日：2009-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n－AlGaN势垒层、有源区、p－AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区。该器件通过干法刻蚀p－GaN冒层至低Al组分的p－AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，其后对其进行光辅助湿法刻蚀，将柱状出射光窗口变为类半球状窗口，在增大了窗口的出射孔径的同时，又能使窗口区的材料表面得到了粗化，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。
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公开(公告)号：CN101515618A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910021779.4
申请日：2009-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n－AlGaN势垒层、有源区、p－AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(A)。该器件通过干法刻蚀p－GaN冒层至电子势垒层p－AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，改变了出射光的路径，大大减少了光在传播过程中的损耗。本发明由于采用干法刻蚀窗口区，使得位于窗口区底部的电子势垒层p－AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，本发明可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。
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公开(公告)号：CN101515616A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910021764.8
申请日：2009-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n－AlGaN势垒层、有源区、p－AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(A)。该器件通过干法刻蚀p－GaN冒层至电子势垒层p－AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，改变了出射光的路径，大大减少了光在传播过程中的损耗。本发明具有光的出射效率高，工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高的优点，可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中等不同领域。
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公开(公告)号：CN119945410A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510017478.3
申请日：2025-01-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种适合宽频带应用的单刀单掷开关电路及电子设备，该单刀单掷开关电路包括：第一微带线、第一串并联结合模块、第二微带线、第二串并联结合模块、第三微带线、第三串并联结合模块和第四微带线。本发明采用三个串并联结合模块构成单刀单掷开关电路，通过控制电压来控制单刀单掷开关电路的工作状态，在单刀单掷开关电路处于关断状态时，串并联结合模块中的并联部分将泄露信号导入地，实现了高频下隔离度的优化，适用于宽频带场景的应用；本发明所设计的串并联结合模块中的有源区串并联宽度组合的晶体管为等效串联晶体管和等效并联晶体管的结合器件，利用该器件实现了一个器件作为电路支节的作用，极大地节约了电路版图面积，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119698015A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411634358.X
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法，包括：提供一异质结晶圆；在异质结晶圆的表面沉积钝化层，在钝化层的表面沉积介质层，在介质层的表面沉积硬掩模层；刻蚀硬掩模层、介质层和钝化层，形成栅极凹槽；对形成栅极凹槽的介质层进行腐蚀，使得栅极凹槽的部分区域在介质层扩展；栅极凹槽在介质层的尺寸为微型场版的长度；腐蚀掉硬掩模层；在介质层的表面，以及栅极凹槽内，光刻栅极区域，在栅极区域内沉积栅极金属，蒸发栅极金属后剥离，形成栅极；腐蚀掉介质层，形成微型场版栅极。本发明能够简化微型场版栅极的制备过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119650437A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411656297.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/50 , H01L23/373 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法，包括：对第一金刚石进行粗抛光，并对半导体和抛光后的第一金刚石进行清洗；在清洗后的第一金刚石表面淀积第一中间层，并在清洗后的半导体表面淀积第二中间层，其中，第一中间层和第二中间层的材料相同；基于确定好的表面刻蚀参数，使用氩原子束修复技术刻蚀第一中间层和第二中间层，直至第一中间层的厚度和粗糙度满足预设条件，得到刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层；将刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层键合，实现第一金刚石和半导体的键合。该方法解决了因金刚石表面粗糙度导致的超薄中间层键合困难问题，兼顾了金刚石与半导体材料键合的稳定性和高效散热性能。
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公开(公告)号：CN119383985A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411395396.4
申请日：2024-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路，二极管包括：由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层；异质超结结构层内沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P‑BN环区域和N GaN环区域；P‑BN环区域内及异质超结结构层侧面为掺杂Mg的P型BN材料；异质超结结构层表面设置有阳极；N+GaN导通层表面设置有环绕异质超结结构层且具有间距的阴极。单片集成全桥整流电路包括两个交流电输入端、四个二极管组成的整流电路、两个滤波电容和一个滤波电阻组成的滤波电路及两个输出端，二极管为准垂直超结二极管。本发明能提升二极管耐压、电路集成度，拓宽电压应用窗口，增强功率处理能力，提升转化效率。
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公开(公告)号：CN119008405A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410999574.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供一晶圆；在晶圆表面形成第一再生长区域和第二再生长区域；利用中间区域的氮化硅层作为掩膜，使用刻蚀液对中间区域的二氧化硅层的两侧进行腐蚀，使得氮化硅层和二氧化硅层形成T型结构；在第一N+GaN层上制备源电极，在第二N+GaN层上制备漏电极；在第一区域、中间区域和第二区域沉积氮化硅介质层，并进行抛光，以平坦化器件上表面，并暴露出中间区域的二氧化硅层；将中间区域的二氧化硅层腐蚀掉，形成凹槽，在凹槽内制备栅电极；利用栅电极作为掩膜，刻蚀器件的第一区域和第二区域的氮化硅介质层，以暴露出源电极和漏电极。本发明能够提高GaN HEMT器件的性能。
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公开(公告)号：CN118969833A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411042765.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/423 , H01L27/085 , H01L23/52
Abstract: 本发明公开了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法，器件包括：半导体基底以及制备于半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；欧姆金属包括依次排列的多个重构区域，其中相邻的重构区域之间设有栅槽；栅金属包括第一栅条、第二栅条和第三栅条；第一栅条和第二栅条分别位于两个目标重构区域内侧的栅槽处，且通过第一部分的互连金属实现互连；第三栅条穿插设置于各非目标重构区域间的栅槽处并一体连接；各非目标重构区域分为两组，其中相邻的非目标重构区域位于不同的组，两组非目标重构区域分别通过第二部分和第三部分的互连金属实现同组互连。本发明提高了开关器件在高频下的隔离度性能。
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公开(公告)号：CN118335706A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410307176.5
申请日：2024-03-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种集成金刚石衬底与微流结构的氮化镓晶体管及制备方法，氮化镓晶体管包括：由从下至上依次层叠设置的金刚石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层组成的外延结构；SiN介质层设置于AlGaN势垒层上；源电极、栅电极和漏电极分别设置于AlGaN势垒层的上表面；微流结构衬底设置于SiN介质层上，微流结构衬底的内部设置有若干条微流道；金刚石衬底与AlN成核层之间、SiN介质层与微流结构衬底之间在室温下键合，键合中间层的厚度小于10nm。本发明将被动散热与液冷主动散热相结合，实现了器件的上下双向散热，提高了散热效率。键合中间层的厚度小于10nm，降低了界面热阻，使用低温键合避免了材料的损伤。
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