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公开(公告)号：CN110571143B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910677856.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
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公开(公告)号：CN110544625B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910677844.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第二金属层；进行电子束光刻，形成第一区域；进行干法刻蚀，在第一区域的底面上形成势垒凹槽；对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构，第一结构包括T型栅；对第一结构进行剥离，得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层，可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶，并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷，消除对曝光图像的不利影响，从而形成形貌规整的T型栅，有效地抑制栅极寄生电容，有效的提高饱和电流截止频率fT。
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公开(公告)号：CN109244038B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201810811364.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件。本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN109216283B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810811142.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/08
Abstract: 本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向肖特基二极管、反向肖特基二极管以及GaN基器件，并将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制作。本发明实施例，通过采用将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
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公开(公告)号：CN110752211A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810811159.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/56 , H01L29/778 , H01L29/868
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向PIN二极管制作区域制作正向PIN二极管；在反向PIN二极管制作区域制作反向PIN二极管；在GaN基高频器件、正向PIN二极管和反向PIN二极管上制作互联层，完成双向限幅电路的制作。本发明实施例的双向限幅电路具有电路面积小、低开态电阻、低关态电容等优点，在大功率信号冲击时的承受能力较强，能够满足高频率、高功率电子器件的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110752186A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201811379063.7
申请日：2018-11-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向PIN二极管、反向PIN二极管和GaN基高频器件，并将正向PIN二极管和反向PIN二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基高频器件连接，完成基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备。本发明实施例，通过采用并联的正向PIN二极管和反向PIN二极管的电路结构，可以实现电路的自我保护；通过采用低电容材料BN，减小了栅漏寄生电容，降低了器件的频率损耗，适用于高频工作环境，满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击。
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公开(公告)号：CN110752186B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811379063.7
申请日：2018-11-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向PIN二极管、反向PIN二极管和GaN基高频器件，并将正向PIN二极管和反向PIN二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基高频器件连接，完成基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备。本发明实施例，通过采用并联的正向PIN二极管和反向PIN二极管的电路结构，可以实现电路的自我保护；通过采用低电容材料BN，减小了栅漏寄生电容，降低了器件的频率损耗，适用于高频工作环境，满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击。
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公开(公告)号：CN117116972A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311243651.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管，包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层；势垒层的表面的两侧还设置有源极和漏极；钝化层位于源极和漏极之间；钝化层开设有贯穿钝化层的栅脚槽；栅脚槽内设置有栅脚，栅脚上覆盖有栅帽。本发明还公开了一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管的制备方法。本发明利用电场调制效应，通过栅脚槽的形状能够形成斜栅，来调制器件栅极电场分布，利用多阈值耦合技术去提高器件的线性度。本发明的平面斜栅结构不需要刻蚀出纳米沟道，可以避免因为干法刻蚀势垒层给器件带来的缺陷和损伤，以及不会减小沟道的有效宽度，从而降低对饱和电流的影响，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN109216331B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810811137.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L21/56 , H01L29/778 , H01L29/868
Abstract: 本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和所述PIN二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路在低频、窄带环境和高频、宽带环境下都可以发挥最佳效应；同时，预失真集成电路可以减小氮化镓基功率放大器的幅度，改善功率放大器的非线性失真。
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公开(公告)号：CN110571143A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910677856.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
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