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公开(公告)号：CN114300359B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111372202.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。
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公开(公告)号：CN115241066A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210514712.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。
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公开(公告)号：CN114843335A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210205185.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/08 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。
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公开(公告)号：CN114447113A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111566917.4
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：外延基片、源电极区、漏电极区、钝化层、欧姆金属、第二势垒层和栅电极；其中，所述外延基片自下而上包括衬底层、成核层、缓冲层和第一势垒层；所述第一势垒层位于所述缓冲层上方；源电极区和漏电极区位于缓冲层和第一势垒层两侧；所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；所述钝化层覆盖在所述第一势垒层和所述欧姆金属上，且所述钝化层中间有预设栅槽区域；所述预设栅槽区域的深度等于或大于钝化层深度；所述第一势垒层上包括预设阵列凹槽区域；所述第二势垒层覆盖在所述预设阵列凹槽区域上；所述第二势垒层上覆盖有栅电极。本发明器件具有高电流、高功率输出能力。
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公开(公告)号：CN114373679A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111508350.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法，方法包括：在衬底层上制备方块电阻异质结结构；去除欧姆再生长区域内的缓冲层和预设深度的势垒层；在图形化阵列区域内所暴露的势垒层上生长n+GaN层；去除自终止刻蚀区域内的n+GaN层；在隔离区域注入等离子体；在n+GaN层上淀积金属，以制备源电极和漏电极；在n+GaN层、隔离体和势垒层上制备钝化层；在处于栅极区域的势垒层上制备淀积金属。本发明可以明显降低器件的导通电阻。本发明的欧姆再生长区域图案化处理增加了器件欧姆区域金属与再生长材料之间的接触面积，将更进一步的减小欧姆接触电阻，降低器件寄生电阻，提升HEMT器件的射频功率性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300359A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111372202.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。
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公开(公告)号：CN119945410A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510017478.3
申请日：2025-01-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种适合宽频带应用的单刀单掷开关电路及电子设备，该单刀单掷开关电路包括：第一微带线、第一串并联结合模块、第二微带线、第二串并联结合模块、第三微带线、第三串并联结合模块和第四微带线。本发明采用三个串并联结合模块构成单刀单掷开关电路，通过控制电压来控制单刀单掷开关电路的工作状态，在单刀单掷开关电路处于关断状态时，串并联结合模块中的并联部分将泄露信号导入地，实现了高频下隔离度的优化，适用于宽频带场景的应用；本发明所设计的串并联结合模块中的有源区串并联宽度组合的晶体管为等效串联晶体管和等效并联晶体管的结合器件，利用该器件实现了一个器件作为电路支节的作用，极大地节约了电路版图面积，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119650437A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411656297.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/50 , H01L23/373 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基于氩原子修复技术的金刚石键合效果提升方法，包括：对第一金刚石进行粗抛光，并对半导体和抛光后的第一金刚石进行清洗；在清洗后的第一金刚石表面淀积第一中间层，并在清洗后的半导体表面淀积第二中间层，其中，第一中间层和第二中间层的材料相同；基于确定好的表面刻蚀参数，使用氩原子束修复技术刻蚀第一中间层和第二中间层，直至第一中间层的厚度和粗糙度满足预设条件，得到刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层；将刻蚀后的第一中间层和刻蚀后的第二中间层键合，实现第一金刚石和半导体的键合。该方法解决了因金刚石表面粗糙度导致的超薄中间层键合困难问题，兼顾了金刚石与半导体材料键合的稳定性和高效散热性能。
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公开(公告)号：CN119383985A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411395396.4
申请日：2024-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路，二极管包括：由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层；异质超结结构层内沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P‑BN环区域和N GaN环区域；P‑BN环区域内及异质超结结构层侧面为掺杂Mg的P型BN材料；异质超结结构层表面设置有阳极；N+GaN导通层表面设置有环绕异质超结结构层且具有间距的阴极。单片集成全桥整流电路包括两个交流电输入端、四个二极管组成的整流电路、两个滤波电容和一个滤波电阻组成的滤波电路及两个输出端，二极管为准垂直超结二极管。本发明能提升二极管耐压、电路集成度，拓宽电压应用窗口，增强功率处理能力，提升转化效率。
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公开(公告)号：CN118969833A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411042765.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/423 , H01L27/085 , H01L23/52
Abstract: 本发明公开了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法，器件包括：半导体基底以及制备于半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；欧姆金属包括依次排列的多个重构区域，其中相邻的重构区域之间设有栅槽；栅金属包括第一栅条、第二栅条和第三栅条；第一栅条和第二栅条分别位于两个目标重构区域内侧的栅槽处，且通过第一部分的互连金属实现互连；第三栅条穿插设置于各非目标重构区域间的栅槽处并一体连接；各非目标重构区域分为两组，其中相邻的非目标重构区域位于不同的组，两组非目标重构区域分别通过第二部分和第三部分的互连金属实现同组互连。本发明提高了开关器件在高频下的隔离度性能。
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