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公开(公告)号：CN113380875A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110580713.X
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括原胞结构，原胞结构自下而上分别为N型欧姆接触电极、N型掺杂衬底、N型掺杂缓冲层、P型基区、P型掺杂发射层和P型欧姆接触电极，P型基区为碳化硅耐压基区，采用碳化硅作为P型基区，且P型基区厚度为14～22μm，非平衡载流子的运输路径大大缩短，从而减小了脉冲前沿的时间，增大了输出脉冲的电压值。同时减小了DSRD器件的损耗，大大减小DSRD器件体积，缩小脉冲系统的体积。采用碳化硅作为P型基区，能够增大器件耐压，减小开关时间，不仅可以解决单片DSRD电压脉冲峰值低、功耗大的问题，也可以减少超快脉冲系统中串联DSRD器件的数量，从而减小系统体积。
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公开(公告)号：CN107369705B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547365.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
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公开(公告)号：CN107331732B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547436.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN106981512B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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公开(公告)号：CN107104141A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710331449.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0405 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258926B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310156642.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p-GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积大，散热能力强，不存在电流拥堵效应。同时，由于此LED垂直芯片为直接外延生长，相较于剥离-键合工艺制备的垂直结构LED，省去了剥离和键合工艺，使得工艺简化、成品率高。
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公开(公告)号：CN103249248B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310156462.8
申请日：2013-04-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构，所述复合基板其结构由下至上依次为基板、石墨烯。基板为LED垂直芯片中常用基板：CuW、SiC、Si、Mo等。此复合基板，可作为LED垂直芯片制造中键合基板，将LED芯片键合在石墨烯层上。采用此复合基板的LED，相比常用基板(CuW、SiC、Si)，具有更加优异的散热性能。另外，本发明将LED芯片键合在所述复合基板的石墨烯层上，组成LED垂直芯片结构，其散热性能能够得到有效提高。
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公开(公告)号：CN103346171B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310211921.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法，包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜，ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒，在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极，Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间；或者ZnO薄膜上沉积有叉指状Al电极，在叉指状Al电极的相邻叉指之间填有Ag纳米颗粒，Ag纳米颗粒旋涂在ZnO薄膜上。本发明采用RF磁控溅射法在衬底上形成ZnO薄膜，然后旋涂Ag纳米颗粒或沉积叉指状Al电极，在Ag纳米颗粒上沉积叉指状Al电极或在形成叉指状Al电极的样品表面旋涂Ag纳米颗粒，即得响应增强型ZnO基光电导探测器。本发明利用Ag纳米颗粒的表面等离子体共振效应来提高探测器对光的吸收能力，使得到的光电导探测器在紫外光区域的响应度得到了大幅提升。
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公开(公告)号：CN101691670B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910024218.X
申请日：2009-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磷酸锌掺杂氧化锌(磷酸锌原子百分比0.5％)的高温烧结(1000℃-1200℃)的陶瓷靶材，使用等离子辅助激光分子束外延设备，高真空条件下(本底真空度为10-7Pa，生长氧气氛分压为10-3Pa，射频功率300W-450W)，采用两步法外延生长磷掺杂P型氧化锌的新工艺：首先，生长Mg0.1Zn0.9O双缓冲层(低温400℃和高温600℃)；然后再在缓冲层上外延生长磷掺杂氧化锌薄膜，成功实现了原生薄膜的P型导电类型转变；并且通过常压氧气气氛下快速退火工艺，改善了磷掺杂P型氧化锌薄膜的光学和电学性质。
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公开(公告)号：CN101691670A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910024218.X
申请日：2009-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磷酸锌掺杂氧化锌(磷酸锌原子百分比0.5％)的高温烧结(1000℃-1200℃)的陶瓷靶材，使用等离子辅助激光分子束外延设备，高真空条件下(本底真空度为10-7Pa，生长氧气氛分压为10-3Pa，射频功率300W-450W)，采用两步法外延生长磷掺杂P型氧化锌的新工艺：首先，生长Mg0.1Zn0.9O双缓冲层(低温400℃和高温600℃)；然后再在缓冲层上外延生长磷掺杂氧化锌薄膜，成功实现了原生薄膜的P型导电类型转变；并且通过常压氧气气氛下快速退火工艺，改善了磷掺杂P型氧化锌薄膜的光学和电学性质。
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