公开(公告)号：CN102790117B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210249534.9

申请日：2012-07-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  于淑珍 ,  杨辉

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。

公开(公告)号：CN103199130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310082859.7

申请日：2013-03-15

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙玉润 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，制备工艺简单。带隙组合为1.90eV、1.42eV、约1.00eV、约0.7eV，具有较高的开路电压，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。采用正装生长方法生长，避免了倒置生长电池结构需要先与其它支撑衬底材料键合再去除GaAs衬底的复杂工艺，降低了电池的制作难度。

公开(公告)号：CN103247635B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310038717.0

申请日：2013-01-31

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵春雨 ,  董建荣 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  杨辉

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的N型吸收层和P型吸收层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制备方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点，同时降低了器件对GaAs衬底绝缘性能的要求。

公开(公告)号：CN104953467A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410120399.7

申请日：2014-03-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 温鹏雁 ,  李德尧 ,  张书明 ,  刘建平 ,  张立群 ,  杨辉

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。

公开(公告)号：CN102790116B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210249532.X

申请日：2012-07-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 李奎龙 ,  董建荣 ,  赵勇明 ,  孙玉润 ,  于淑珍 ,  杨辉

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层、GaAs接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池和Ge或InGaAs的键合层；3)提供一支撑衬底；4)将支撑衬底键合至Ge或InGaAs的键合层表面；5）从GaAs接触层处将GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层。

公开(公告)号：CN103219644B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310097644.2

申请日：2013-03-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吴燕华 ,  刘德利 ,  冯美鑫 ,  曾中明 ,  张宝顺 ,  杨辉

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。

公开(公告)号：CN102790098B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210250372.0

申请日：2012-07-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 季莲 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  董建荣 ,  何巍 ,  代盼

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电池薄膜；3）从牺牲层处将GaAs衬底和牺牲层剥离，直至显露出电池薄膜表面；4）在电池薄膜表面制备背电极；5）提供一具有反射介质膜的基底；6）将所述反射介质膜表面转移至背电极表面。

公开(公告)号：CN102790120B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210249554.6

申请日：2012-07-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙玉润 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底上依次设置的第二接触层、Ge子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、GaInP子电池和第一接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底表面依次生长AlGaAs的牺牲层、第一接触层、GaInP子电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、Ge子电池及第二接触层；3）提供一支撑衬底；4）将支撑衬底键合至第二接触层表面；5）从第一接触层处将GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层。

公开(公告)号：CN102738267B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210203843.2

申请日：2012-06-20

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 郑新和 ,  李雪飞 ,  张东炎 ,  吴渊渊 ,  陆书龙 ,  杨辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。

公开(公告)号：CN104157725A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201310176398.X

申请日：2013-05-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明揭示了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，实现了基于GaAs衬底的GaInP/GaAs双结太阳电池与基于InP衬底的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池集成；剥离InP衬底，采用GaAs作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.89/1.42/1.05/0.72eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，而且剥离后的InP衬底经抛光后可重复利用，降低了InP衬底的消耗。本发明提出的四结太阳电池，可减少机械叠层多结太阳电池系统中使用多个衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统导致的光学损失，同时还有效解决了生长多结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。