公开(公告)号：CN1703938A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02811117.6

申请日：2002-12-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  宫下悟

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3253 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的提岸层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。

公开(公告)号：CN1216425C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种强电介质存储装置，包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其特征在于：上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中，在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层，上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中，该表面修饰层的表面。

公开(公告)号：CN1629709A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410100036.3

申请日：2000-01-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  下田达也

IPC: G02F1/167 ,  H01L27/20 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L27/20 ,  B06B1/0688 ,  G02F1/167 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3493 ,  G09G2300/08 ,  H01L41/107 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331

Abstract: 在衬底11上按顺序层叠第一电极层12、第一压电薄膜层13、第二电极层14、第二压电薄膜层15和第三电极层16；限制这些层在厚度方向不扩大或缩小，构成压电变换器。形成多条栅极线201和202、多条数据线203和204和薄膜晶体管205和207；上述薄膜晶体管的一个源－漏与上述数据线连接，另一个源－漏与薄膜压电变换器208至210的输入侧连接；上述薄膜压电变换器的输出侧与电泳油墨显示元件的电极连接；从而构成电泳油墨显示装置。

公开(公告)号：CN1199241C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1577913A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062352.6

申请日：2004-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西川尚男 ,  下田达也 ,  岩佐义宏 ,  竹延大志 ,  小林慎一郎 ,  三谷忠兴

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

Abstract: 本发明公开了一种即使不改变形成有机半导体薄膜的材料，也能够容易地控制阈值电压的有机薄膜晶体管及其制造方法。该有机薄膜晶体管包括栅电极(12)、栅极绝缘膜(14)、源电极(16)、漏电极(18)和有机半导体膜(20)，其中，在栅极绝缘膜(14)和有机半导体薄膜(20)之间具有阈值电压控制膜(22)。

公开(公告)号：CN1181564C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN99802011.7

申请日：1999-08-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也

IPC: H01L31/12

CPC classification number: H01L27/3227 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  H01L27/288 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/173 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/42

Abstract: 带有光传输部件的装置(1)在基板(2)上分别设置：发光器件(3)、驱动该发光器件(3)的驱动电路、感光器件(光检测器件)(5)、把来自上述发光器件(3)的光传导到上述感光器件(5)中的传导光路(导波路)4、放大电路(6)、布线(电气布线)(7)、电路(8)。来自发光器件(3)的光(光信号)经过传导光路(4)由感光器件(5)感光，进行光电变换。来自感光器件(5)的电气信号由放大电路(6)进行放大，通过布线(7)输入电路(8)。电路(8)根据该电气信号而动作。

公开(公告)号：CN1149420C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN97190106.6

申请日：1997-02-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山修 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  藤森裕司 ,  跡部光朗 ,  青山拓 ,  舟本达昭

IPC: G02B26/08

CPC classification number: H04N9/3114 ,  G02B26/0858 ,  G09F9/372 ,  H04N5/7458

Abstract: 本发明的目的在于提供对比度高的、而且可显示明亮的图象的光调制装置、显示装置和电子设备。根据本发明的一种光调制装置，其特征在于具有：基板；光调制结构，形成于基板上，上述光调制结构具有镜单元，其中具有压电性质的压电薄膜层夹在各具有导电性质的薄膜电极层之间，而至少一个薄膜电极层具有反光性；和基板除去部，在基板上邻接各个镜单元形成，上述基板除去部用作基板上的一光通路；光调制结构以各个镜单元为基础而被驱动，每个镜单元独立地对光线进行调制工作。

公开(公告)号：CN1145215C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN98800930.7

申请日：1998-06-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  宫泽和加雄

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/40 ,  B23K26/57 ,  B23K2103/172 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78603 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。

公开(公告)号：CN1115572C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN99800571.1

申请日：1999-02-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  金子丈夫 ,  宫下悟

IPC: G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  G02B5/08 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02B5/0833 ,  G02B5/0825 ,  H01S5/18361

Abstract: 在折射率不同的复数的薄膜102，103进行叠层构成的分布反射型多层膜镜的制造方法中，通过液相成膜法形成前述薄膜(102，103)。液相成膜法包括将形成薄膜的薄膜材料涂敷的工序，和将涂敷的前述薄膜材料固化的工序，作为液相成膜法采用喷墨方式。可以简便且在短时间内以微细的排列图案形成薄膜，可以得到高精密且可靠性高的叠层膜，容易控制分布反射型多层膜镜的膜厚和反射率等反射特性。

公开(公告)号：CN1339240A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN00803264.5

申请日：2000-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  西川尚男

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  G09F9/40 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3293 ,  G09F9/313 ,  H01L27/3244

Abstract: 通过将TFT层22的电路部22C退到相邻的EL显示体14的背面侧,能够使相邻的EL显示体14的周端的象素之间的间隔为10μm,使4个EL显示体14从外观上看为一体,能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时,能够维持TFT的象素部的象素间距。