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公开(公告)号：CN115015249A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210599197.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米光学领域，具体涉及一种基于非手性纳米结构的手性分子传感器。本发明通过将纳米结构周期性地排列在透明衬底上。通过改变入射线偏振光的偏振方向与纳米结构长轴方向的夹角θ来实现对近场超手性场的调控，进而传感手性分子，工作在近红外波段。本发明采用非手性结构，可有效避免结构手性对手性分子信号的影响，在生物制药和生物医学等领域具备潜在的应用前景。并且本发明结构简单，制备方便；为亚波长结构，利于器件的小型化与集成化；采用线偏振光，光路简单，设备成本低。
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公开(公告)号：CN112921273B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110079670.7
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热辐射技术领域，具体为一种基于相变材料二氧化钒的动态热辐射制冷器件。本发明基于经典的金属‑介质‑金属超表面结构设计，引入过渡介质层有效提高了相变材料二氧化钒薄膜的附着力，并通过介质层材料的选择调控整个器件与室温下黑体辐射率的峰值相对应，有效解决了当前热辐射制冷器件存在的制冷效果相对较差的技术问题。本发明在温度较高时通过中红外8‑14μm大气窗口对外辐射能量，并且反射太阳光，而在温度较低时几乎不对外辐射能量，达到智能控温、动态制冷的功能；具有智能动态控温，结构简单，便于大面积制备，零能耗，极化不敏感等特点；对解决过度制冷问题、缓解城市热岛效应有重要意义，且在红外伪装等领域也具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN111198414A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN107678190A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710933019.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。
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公开(公告)号：CN117192223A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311157092.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子领域，具体涉及一种磁光薄膜介电常数全张量表征方法。本发明基于转移矩阵法和椭圆偏振仪改装，依据转移矩阵法的表征原理，通过椭圆偏振仪测量得到正磁场和负磁场下磁光薄膜的差分Mueller矩阵，依据结构模型和色散模型拟合椭偏参数得到介电常数张量对角线元，通过转移矩阵法参数反演得到介电张量非对角线元。本发明首次结合转移矩阵法和4×4Mueller矩阵，通过椭圆偏振仪在施加磁场条件下的进行非接触性椭偏光谱测量，可以在不破坏晶圆或进行切样处理的条件下，实现了对晶圆级磁光薄膜无损、快速地介电常数全张量表征，填补了晶圆级磁光薄膜介电常数全张量无损表征的空缺，对磁光薄膜进一步工业应用具有较大意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115494589A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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公开(公告)号：CN113671630B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110794542.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成的平面超透镜结构非互易光路由器。本发明通过对每一路输入波导进行相位设计，使其形成特定的相位差，在平面超透镜中所需方向上进行相长干涉并输出；同时磁光波导带来的非互易移相效应能够使得反向传输信号在不同于输入端口的其他端口进行传输，从而实现了在多端口间同时进行正反向非互易光传输的功能。并且通过透镜聚焦进行端口选择的方法使得端口拓展不再需要器件的级联。最终本发明大大拓展了传输状态，有效避免了因多端口器件级联导致的器件尺寸大等问题。
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公开(公告)号：CN115047654A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210757802.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及偏振光学控制和纳米光学领域，具体涉及一种全固态可调控偏振成像器件。本发明通过制备VO2相变材料的光栅结构，配合光栅结构两侧的电极通过电调控的方式实现CCD强度成像和偏振成像间的切换，从而实现器件的全固态、小型化、集成化、高可靠性和高速电切换。并易于光电集成封装，解决了现有技术机械旋转方式带来的体积大、重量重、抗负载能力差、切换速度慢等问题。可应用于机载、星载和弹载等成像系统，具有着重要的应用前景和意义。
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公开(公告)号：CN110941109B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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公开(公告)号：CN111982823A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010777122.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/19
Abstract: 本发明涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域，具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。本发明采用高磁光效应和低损耗的磁性氧化物材料结合顶层贵金属等离子共振结构层的表面等离子共振或腔体谐振的设计，实现磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，从而可以通过外加磁场偏置简单、有效地消除结构手性，精确的获得手性分子的信号，且依然保持强的光学手性近场增强，解决结构加工误差问题；并且由于器件是亚波长结构，利于器件的小型化和集成化，可应用于生物制药领域的手性药物分子的检测。
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