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公开(公告)号：CN114667806B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202080078881.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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公开(公告)号：CN115103824A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180013349.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , H01L23/373 , C04B38/00 , C04B41/83 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其含有具有20μm以上的长度的多个粗大粒子、和比多个粗大粒子小的微细粒子，在对截面进行观察时，多个粗大粒子彼此交叉。提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：原料制备工序，将包含碳氮化硼和硼化合物的混合物在氮气氛下进行烧成，得到平均粒径为10～200μm的块状的氮化硼；和烧结工序，进行包含块状的氮化硼和烧结助剂的配合物的成型及加热，得到含有截面上的长度为20μm以上的粗大粒子和比粗大粒子小的微细粒子的氮化硼烧结体。
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公开(公告)号：CN114982388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009751.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的陶瓷‑铜复合体(100)为具备陶瓷层(1)、铜层(2)、和钎料层(3)的平板状的陶瓷‑铜复合体(100)，所述钎料层(3)存在于陶瓷层(1)与铜层(2)之间且包含Sn或In、和Ag，在钎料层(3)的铜层(2)侧形成有凹凸部，在至少一个凸部(6)内，多个富Cu相(4)以彼此隔开间隔的状态存在。
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公开(公告)号：CN114929650A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008663.6
申请日：2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供电路基板，其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板，其中，通过EBSP法求出的上述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。本发明提供接合体，其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体，其中，通过EBSP法求出的钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114667806A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078881.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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公开(公告)号：CN110691762B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880036114.8
申请日：2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。
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公开(公告)号：CN114375495A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080063702.8
申请日：2020-09-15
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/15 , H05K1/02
Abstract: 电路基板具备：陶瓷基板10；接合于陶瓷基板10的一个或多个电路板20；和在至少一个电路板20的表面上的阻焊剂30。沿同在上述表面上设置有阻焊剂30的电路板20与陶瓷基板10的接合面20a正交的截面观察时，电路板20的电路端25与阻焊剂30的内侧端部30A的沿接合面20a的距离L1为1.0mm以上。
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公开(公告)号：CN113632217A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080025283.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/36 , C04B37/02 , C04B35/587 , G01N23/223
Abstract: 本发明提供氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，在特定的条件I下，利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时，XB/XA为0.8以上、1.0以下。
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公开(公告)号：CN113165986A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075826.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。
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